IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 70 O C

830

600

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 150 O C

4032

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

600

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =125 O C

3.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 6,0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.0

5.8

6.6

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.25

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

39.0

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

2.55

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

6.30

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G = 1. 1Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

205

N

t r

Uppgångstid

50

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

265

N

t F

Hösttid

140

N

E på

Tänd Växling

Förlust

50.4

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

20.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G = 1. 1Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 125O C

210

N

t r

Uppgångstid

55

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

275

N

t F

Hösttid

175

N

E på

Tänd Växling

Förlust

66.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

28.9

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j =125 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

3900

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25 O C

2.25

2.70

V

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j = 125O C

2.35

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt= 12 kA/μs, V Generella =± 15 V, t j =25 O C

42.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

492

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

16.6

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt= 12 kA/μs, V Generella =± 15 V, t j = 125O C

80.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

672

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

37.9

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.18

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.031

0.070

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.051

0.114

0.035

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutning Moment, Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G