GD600SGU120C2SD,IGBT-modul,STARPOWER

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 600a.

Funktioner

Typiska Tillämpningar

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ T C =25 O C @ T C = 70 O C	857 600	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	1200	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 150 O C	4310	W

Diod

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	1200	V
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	600	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	1200	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T vjmax	Maximal temperatur vid korsningen	150	O C
T vjop	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +125	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C = 600 A, V Generella =15V, T Vj =25 O C		3.00	3.45	V
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C = 600 A, V Generella =15V, T Vj =125 O C		3.80		V
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =12 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C	4.8	5.8	6.8	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C			5.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning			0.31		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		43.6		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		2.72		NF
Q G	Portavgift	V Generella =-15V…+15V		8.32		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C = 600A, R G =1.5Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50 nH ,T Vj =25 O C		317		N
T R	Uppgångstid			76		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			548		N
T F	Hösttid			55		N
E på	Tänd Växling Förlust			20.2		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			34.2		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C = 600A, R G =1.5Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50 nH ,T Vj =125 O C		325		N
T R	Uppgångstid			79		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			595		N
T F	Hösttid			59		N
E på	Tänd Växling Förlust			27.2		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			38.4		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤10μs, V Generella =15V, T Vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		3000		A

Diod Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F = 600 A, V Generella =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V
V F	Diod framåt Spänning	jag F = 600 A, V Generella =0V,T Vj =125 O C		1.90		V
Q R	Återkrävt avgift	V R =600V,I F = 600A, -di/dt=7745A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50 nH ,T Vj =25 O C		58.0		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			489		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			28.1		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =600V,I F = 600A, -di/dt=7355A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50 nH ,T Vj =25 O C		100		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			563		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			48.2		MJ

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck			20	nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.35		mΩ
R TJC	Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)			0.029 0.069	K/W
R ThCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)		0.014 0.034 0.010		K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Vikt av Modul		300		G