GD600HTA120P6HT, IGBT Modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 600a.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
Låga bytesförluster
6 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad koppar pinfin basplatta med Si3N4AMB-teknik

Typiska Tillämpningar

Fordonsapplikation
Hybrid- och elfordon
Inverterare för motordrivning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag CN	Implementerad samlare Cu Rent	600	A
jag C	Samlarström @ T F =90 O C	450	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	1200	A
P D	Maximal effektförlust ation @ T F =75 O C T j = 175 O C	1075	W

Diod

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd spänning Generella	1200	V
jag FN	Implementerad samlare Cu Rent	600	A
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	450	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	1200	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
T - Vad?	Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag	-40 till +150 +150 till +175	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V
D - Sväpnad.	Terminal till värmesink Terminal till terminal	9.0 9.0	mm
D klar	Terminal till värmesink Terminal till terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C = 450 A, V Generella =15V, T j =25 O C		1.40		V
		jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 150 O C		1.65
		jag C = 450 A, V Generella =15V, T j = 175 O C		1.70
		jag C = 600 A, V Generella =15V, T j =25 O C		1.60
		jag C = 600 A, V Generella =15V, T j = 150 O C		1.90
		jag C = 600 A, V Generella =15V, T j = 175 O C		2.00
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C = 15,6 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C		6.4		V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C			1.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd			1.67		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		81.2		NF
C Övriga	Utgångskapacitet			1.56		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet			0.53		NF
Q G	Portavgift	V ce =600V,I C =600A, V Generella =-8...+15V		5.34		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C = 600A, R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L S =22nH, V Generella =-8V/+15V, T j =25 O C		290		N
T R	Uppgångstid			81		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			895		N
T F	Hösttid			87		N
E på	Tänd Växling Förlust			53.5		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			47.5		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C = 600A, R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L S =22nH, V Generella =-8V/+15V, T j = 150 O C		322		N
T R	Uppgångstid			103		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1017		N
T F	Hösttid			171		N
E på	Tänd Växling Förlust			84.2		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			63.7		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C = 600A, R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L S =22nH, V Generella =-8V/+15V, T j = 175 O C		334		N
T R	Uppgångstid			104		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1048		N
T F	Hösttid			187		N
E på	Tänd Växling Förlust			89.8		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			65.4		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤6μs, V Generella =15V,		2000		A
		T j = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

Diod Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25 O C		1.80		V
		jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 50O C		1.75
		jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =1 75O C		1.70
		jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25 O C		1.95
		jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =1 50O C		1.95
		jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =1 75O C		1.90
Q R	Återkrävt avgift	V R =600V,I F = 600A, -di/dt=7040A/μs,V Generella =-8V L S = 22 nH ,T j =25 O C		22.5		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			304		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			10.8		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =600V,I F = 600A, -di/dt=5790A/μs,V Generella =-8V L S = 22 nH ,T j = 150 O C		46.6		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			336		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			18.2		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =600V,I F = 600A, -di/dt=5520A/μs,V Generella =-8V L S = 22 nH ,T j = 175 O C		49.8		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			346		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			19.8		MJ

NTC Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modul Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck		8		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.75		mΩ
P	Maximal tryck i kylcirkulationen uit			2.5	bar
R thJF	Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 O C		0.081 0.118	0.093 0.136	K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Vikt av Modul		750		G