IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlar Nuvarande @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

1069

600

A

jag CM

Pulsad Samlar Nuvarande t P =1 ms

1200

A

P D

Maximal Ström Dissipation @ t j = 175 O C

4166

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

jag F

Diod kontinuerlig framström

600

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temp av korsningen natur

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolering Spänning RMS , f=50 Hz , t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V ce (satt )

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 600A, V Generella =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

jag C = 600A, V Generella =15V, t j =125 O C

2.25

jag C = 600A, V Generella =15V, t j = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 12.0mA ,V ce = V Generella ,t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Kollektorns avskärmning

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V,

t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd

1.1

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1 MHz ,

V Generella =0V

72.3

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.75

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

5.66

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V, jag C = 600A, r G = 1,0Ω, V Generella =± 15 V, t j =25 O C

160

N

t r

Uppgångstid

67

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

527

N

t F

Hösttid

138

N

E på

Tänd Växling

Förlust

154

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

132

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V, jag C = 600A, r G = 1,0Ω, V Generella =± 15 V, t j = 125O C

168

N

t r

Uppgångstid

80

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

585

N

t F

Hösttid

168

N

E på

Tänd Växling

Förlust

236

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

189

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V, jag C = 600A, r G = 1,0Ω, V Generella =± 15 V, t j = 150O C

192

N

t r

Uppgångstid

80

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

624

N

t F

Hösttid

198

N

E på

Tänd Växling

Förlust

259

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

195

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C ,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 600A, V Generella =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F = 600A, V Generella =0V, t j = 125O C

1.90

jag F = 600A, V Generella =0V, t j = 150O C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V, jag F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

153

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

592

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

76.5

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V, jag F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V Generella - Det är inte sant. 15V t j =125 O C

275

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

673

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

150

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V, jag F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150 O C

299

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

690

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

173

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

ΔR/R

Avvikelse av r 100

t C = 100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

- Jag är inte... värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

- Jag är inte... värde

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

- Jag är inte... värde

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC + EE ’

Modul blymotstånd, terminal till Chip

1.10

mΩ

r TJC

Tvättpunkt -till -Fall (för IGBT )

Tvättpunkt -till -Fall (för Diod )

0.036

0.073

K/W

r ThCH

Fall -till -Värmesänkande (för IGBT )

Fall -till -Värmesänkande (för Diod )

Hylsa till värmesänka (per modul)

0.027

0.055

0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Montering Vridmoment , Skruv M 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

G