GD600HFX170C6S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlar Nuvarande @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

1069

600

A

Jag CM

Pulsad Samlar Nuvarande t p =1 ms

1200

A

P D

Maximal Ström Dissipation @ T j = 175 o C

4166

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

Jag F

Diod kontinuerlig framström

600

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temp av korsningen natur

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolering Spänning RMS , f=50 Hz , t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V Ce (satt )

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C = 600A, V Generella =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

Jag C = 600A, V Generella =15V, T j =125 o C

2.25

Jag C = 600A, V Generella =15V, T j = 150 o C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 12.0mA ,V Ce = V Generella ,T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Kollektorns avskärmning

Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V,

T j =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.1

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1 MHz ,

V Generella =0V

72.3

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.75

nF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

5.66

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V, Jag C = 600A, R G = 1,0Ω, V Generella =± 15 V, T j =25 o C

160

n

t r

Uppgångstid

67

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

527

n

t f

Hösttid

138

n

E på

Tänd Växling

Förlust

154

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

132

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V, Jag C = 600A, R G = 1,0Ω, V Generella =± 15 V, T j = 125o C

168

n

t r

Uppgångstid

80

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

585

n

t f

Hösttid

168

n

E på

Tänd Växling

Förlust

236

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

189

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V, Jag C = 600A, R G = 1,0Ω, V Generella =± 15 V, T j = 150o C

192

n

t r

Uppgångstid

80

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

624

n

t f

Hösttid

198

n

E på

Tänd Växling

Förlust

259

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

195

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 o C ,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F = 600A, V Generella =0V, T j =25 o C

1.80

2.25

V

Jag F = 600A, V Generella =0V, T j = 125o C

1.90

Jag F = 600A, V Generella =0V, T j = 150o C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V, Jag F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V Generella - Det är inte sant. 15V T j =25 o C

153

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

592

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

76.5

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V, Jag F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V Generella - Det är inte sant. 15V T j =125 o C

275

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

673

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

150

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R = 900 V, Jag F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 150 o C

299

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

690

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

173

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

δR/R

Avvikelse av R 100

T C = 100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

- Jag är inte... värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

- Jag är inte... värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

- Jag är inte... värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC + EE ’

Modul blymotstånd, terminal till Chip

1.10

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Housse (för IGBT )

Tvättpunkt -till -Housse (för Diod )

0.036

0.073

K/W

R thCH

Housse -till -Värmesänkande (för IGBT )

Housse -till -Värmesänkande (för Diod )

Hylsa till värmesänka (per modul)

0.027

0.055

0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Montering Vridmoment , Skruv M 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g