GD600HFX120C2SAD_B20 ,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

Övergående spänning för utgivare

±20 ±30

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1096

600

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

3947

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diode Kontinuerlig Framåtström ent

600

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C = 600 A, V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.70

2.15

V

jag C = 600 A, V Generella =15V, T Vj =125 O C

2.05

jag C = 600 A, V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.15

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

1.25

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

64.7

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.88

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

5.38

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G = 1,5Ω, L S =50 nH , V Generella =±15V,T Vj =25 O C

314

N

T R

Uppgångstid

105

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

527

N

T F

Hösttid

151

N

E på

Tänd Växling Förlust

63.7

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

53.3

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G = 1,5Ω, L S =50 nH , V Generella =±15V,T Vj =125 O C

350

N

T R

Uppgångstid

117

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

591

N

T F

Hösttid

315

N

E på

Tänd Växling Förlust

96.5

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

72.2

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G = 1,5Ω, L S =50 nH , V Generella =±15V,T Vj = 150 O C

359

N

T R

Uppgångstid

120

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

604

N

T F

Hösttid

328

N

E på

Tänd Växling Förlust

105

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

75.6

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F = 600 A, V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.65

2.10

V

jag F = 600 A, V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.65

jag F = 600 A, V Generella =0V,T Vj = 150 O C

1.60

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V Generella =-15V,T Vj =25 O C

38.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

313

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

10.8

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=4440A/μs, L S =50nH, V Generella =-15V,T Vj =125 O C

76.1

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

368

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

22.5

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=4240A/μs, L S =50nH, V Generella =-15V,T Vj = 150 O C

88.9

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

387

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

26.2

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.42

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.038 0.068

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.031 0.056 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

320

G