GD600HFX120C2SA ,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

Övergående spänning för utgivare

±20 ±30

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

925

600

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

3000

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

600

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C = 600 A, V Generella =15V, T j =25 O C

1.65

2.00

V

jag C = 600 A, V Generella =15V, T j =125 O C

1.95

jag C = 600 A, V Generella =15V, T j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

1.25

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

60.8

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.84

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

4.64

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V Generella =±15V,T j =25 O C

339

N

T R

Uppgångstid

95

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

468

N

T F

Hösttid

168

N

E på

Tänd Växling Förlust

63.7

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

56.4

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V Generella =±15V,T j =125 O C

418

N

T R

Uppgångstid

135

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

567

N

T F

Hösttid

269

N

E på

Tänd Växling Förlust

108

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

72.3

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V Generella =±15V,T j = 150 O C

446

N

T R

Uppgångstid

151

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

602

N

T F

Hösttid

281

N

E på

Tänd Växling Förlust

123

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

78.2

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =1 25O C

1.90

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5210A/μs,V Generella = 15 V, L S = 34 nH ,T j =25 O C

49.3

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

300

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

24.1

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=3490A/μs,V Generella = 15 V, L S = 34 nH ,T j =125 O C

85.2

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

314

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

33.8

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=3080A/μs,V Generella = 15 V, L S = 34 nH ,T j = 150 O C

102

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

318

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

36.8

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.050 0.080

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.033 0.052 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G