GD50PIX170C6SA, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

100

50

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

100

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

384

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1700

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

50

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

100

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1600

V

jag O

Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg

50

A

jag FSM

Spetsström framåt V R =0V,T P =10ms,T j =45 O C

850

A

jag 2T

jag 2T-värde,V R =0V,T P =10m s,T j =45 O C

3610

A 2S

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

100

50

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

100

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

384

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1700

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

50

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

100

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal spänningsföreningstemperatur (inverterare, broms) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)

175

150

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =50A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

jag C =50A,V Generella =15V, T j =125 O C

2.25

jag C =50A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =2.0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portresis - Självklart.

9.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

6.02

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.15

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.47

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C

163

N

T R

Uppgångstid

44

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

290

N

T F

Hösttid

347

N

E på

Tänd Växling Förlust

12.7

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

7.28

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C

186

N

T R

Uppgångstid

51

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

361

N

T F

Hösttid

535

N

E på

Tänd Växling Förlust

17.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

11.1

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C

192

N

T R

Uppgångstid

52

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

374

N

T F

Hösttid

566

N

E på

Tänd Växling Förlust

20.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

12.0

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =50A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F =50A,V Generella =0V,T j =125 O C

1.95

jag F =50A,V Generella =0V,T j = 150 O C

1.90

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =25 O C

11.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

48

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

6.08

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =125 O C

20.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

52

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

11.4

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j = 150 O C

23.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

54

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

13.1

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =50A, V Generella =0V, T j = 150 O C

1.14

V

jag R

Omvänd ström

T j = 150 O C,V R =1600V

3.0

mA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =50A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

jag C =50A,V Generella =15V, T j =125 O C

2.25

jag C =50A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =2.0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

9.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

6.02

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.15

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.47

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C

163

N

T R

Uppgångstid

44

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

290

N

T F

Hösttid

347

N

E på

Tänd Växling Förlust

12.7

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

7.28

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C

186

N

T R

Uppgångstid

51

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

361

N

T F

Hösttid

535

N

E på

Tänd Växling Förlust

17.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

11.1

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =50A, R G =9.6Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C

192

N

T R

Uppgångstid

52

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

374

N

T F

Hösttid

566

N

E på

Tänd Växling Förlust

20.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

12.0

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =50A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F =50A,V Generella =0V,T j =125 O C

1.95

jag F =50A,V Generella =0V,T j = 150 O C

1.90

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =25 O C

11.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

48

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

6.08

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j =125 O C

20.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

52

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

11.4

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V Generella =-15V T j = 150 O C

23.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

54

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

13.1

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

60

nH

R CC+EE R AA + CC ’

Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip

4.00 2.00

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier) Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Broms )

Förening-till-kassa (per Diode-br ake)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

R ThCH

housse -till -Värmesänkande (perIGBT -Inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) housse -till -Värmesänkande (perIGBT -Broms )

Kassa-till-kylblock (per Dio de-brake) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

M

Monteringsmoment Skruv: M5

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G