IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

648

400

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

P D

Maximal effektförlust t = 175 O C

2380

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

400

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

800

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =125 O C

2.25

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 16 mA, V ce =V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.88

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

48.2

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.17

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15V…+15V

3.77

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 400A, r G =0.82Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

204

N

t r

Uppgångstid

38

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

425

N

t F

Hösttid

113

N

E på

Tänd Växling

Förlust

97.9

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

84.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 400A, r G =0.82Ω,V Generella =± 15 V, t j =125 O C

208

N

t r

Uppgångstid

50

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

528

N

t F

Hösttid

184

N

E på

Tänd Växling

Förlust

141

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

132

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 400A, r G =0.82Ω,V Generella =± 15 V, t j = 150 O C

216

N

t r

Uppgångstid

50

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

544

N

t F

Hösttid

204

N

E på

Tänd Växling

Förlust

161

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

137

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 100V, V CEM ≤ 1700V

1600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 400 A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F = 400 A,V Generella =0V,T j =125 O C

1.90

jag F = 400 A,V Generella =0V,T j = 150 O C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

116

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

666

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

63.8

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =125 O C

187

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

662

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

114

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150 O C

209

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

640

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

132

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

15

nH

r CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.18

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.063

0.105

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutning Moment, Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G