GD400SGU120C2SD,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =65 O C

542

400

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 150 O C

2840

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

400

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

800

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

3.10

3.55

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

3.95

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =16 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

4.9

5.9

6.9

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.63

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

27.0

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.64

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15V…+15V

4.32

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50 nH ,T Vj =25 O C

275

N

T R

Uppgångstid

68

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

455

N

T F

Hösttid

45

N

E på

Tänd Växling Förlust

26.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

16.2

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V Generella =± 15 V, Lärare =50 nH ,T Vj =125 O C

281

N

T R

Uppgångstid

69

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

495

N

T F

Hösttid

57

N

E på

Tänd Växling Förlust

32.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

19.9

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2700

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F = 400 A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

jag F = 400 A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.90

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5666A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50 nH ,T Vj =25 O C

42.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

329

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

16.2

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5534A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =50 nH ,T Vj =125 O C

71.9

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

382

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

30.0

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.35

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.044 0.107

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.014 0.034 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G