GD400HTX120P6HLT,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag CN

Implementerad samlare Cu Rent

400

A

jag C

Samlarström @ T F =120 O C

250

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

P D

Maximal effektförlust ation @ T F =75 O C T j = 175 O C

1010

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd spänning Generella

1200

V

jag FN

Implementerad samlare Cu Rent

400

A

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

250

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

800

A

jag 2T

jag 2T-värde, t P =10ms @ T j =125 O C @ T j = 150 O C

17860

15664

A 2S

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag

-40 till +150 +150 till +175

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =250A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.45

1.80

V

jag C =250A,V Generella =15V, T j =125 O C

1.65

jag C =250A,V Generella =15V, T j = 150 O C

1.70

jag C =380A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.70

jag C =380A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.15

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =9.75 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

2.4

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

33.6

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.43

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.82

NF

Q G

Portavgift

V ce =600V,I C =250A, V Generella =-8...+15V

1.98

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =250A, R G = 2,2Ω, L S =24 nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =25 O C

231

N

T R

Uppgångstid

50

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

545

N

T F

Hösttid

172

N

E på

Tänd Växling Förlust

19.6

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

23.2

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =250A, R G = 2,2Ω, L S =24 nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j =125 O C

241

N

T R

Uppgångstid

57

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

619

N

T F

Hösttid

247

N

E på

Tänd Växling Förlust

26.6

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

28.7

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =250A, R G = 2,2Ω, L S =24 nH ,V Generella =-8V/+15V,

T j = 150 O C

245

N

T R

Uppgångstid

57

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

641

N

T F

Hösttid

269

N

E på

Tänd Växling Förlust

30.1

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

30.9

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤6μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =250A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.50

1.90

V

jag F =250A,V Generella =0V,T j =1 25O C

1.45

jag F =250A,V Generella =0V,T j =1 50O C

1.40

jag F =380A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.65

jag F =380A,V Generella =0V,T j =1 50O C

1.60

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4860A/μs,V Generella =-8V L S =24 nH ,T j =25 O C

9.10

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

160

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

4.39

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4300A/μs,V Generella =-8V L S =24 nH ,T j =125 O C

21.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

192

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

8.43

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =250A,

-di/dt=4120A/μs,V Generella =-8V L S =24 nH ,T j = 150 O C

25.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

203

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

9.97

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.75

mΩ

△ P

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 O C

64

Mbar

P

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

2.5

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod)

0.099 0.128

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

G