GD400HTX120P4SA, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag CN

Implementerad samlare Cu Rent

400

A

jag C

Samlarström @ T F =25 O C @ T F =75 O C

400

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

1500

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag FN

Implementerad Forward Cu Rent

400

A

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

800

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.50

1.95

V

jag C =300A,V Generella =15V, T j =125 O C

1.60

jag C =300A,V Generella =15V, T j = 150 O C

1.65

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =16.0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.3

5.8

6.3

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

0.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

41.4

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.16

NF

Q G

Portavgift

V Generella =15V

3.11

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =25 nH ,T j =25 O C

74

N

T R

Uppgångstid

31

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

352

N

T F

Hösttid

255

N

E på

Tänd Växling Förlust

4.01

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

22.9

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Ls=25nH,T j =125 O C

81

N

T R

Uppgångstid

34

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

411

N

T F

Hösttid

397

N

E på

Tänd Växling Förlust

7.40

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

32.2

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =500V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Ls=25nH,T j = 150 O C

82

N

T R

Uppgångstid

36

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

425

N

T F

Hösttid

434

N

E på

Tänd Växling Förlust

8.90

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

35.2

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 25O C

1.70

jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 50O C

1.70

Q R

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=10600A/μs, V Generella =-15V Ls=25nH,T j =25 O C

15.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

391

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

9.40

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9600A/μs, V Generella =-15V Ls=25nH,T j =125 O C

24.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

457

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

18.4

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9500A/μs,V Generella =-15V Ls=25nH,T j = 150 O C

29.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

488

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

23.2

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

△ P

Tryckfall Kyl Cir svamp

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ;T F =25 O C ;Kylning Vätska=50% Vatten/50% Etylenglykol

100

Mbar

P

Maximal tryck i kylcirkulationen svamp

2.5

bar

L ce

Strömavtryck

14

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.80

mΩ

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT ) Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.)

0.100 0.125

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

1250

G