GD400HTX120P4S, IGBT-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 400a.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
Låga bytesförluster
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad koppar pinfin basplatta med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Hybrid- och elfordon
Inverterare för motordrivning
Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

jag GBT

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag CN	Implementerad samlare Cu Rent	400	A
jag C	Samlarström @ T F =25 O C @ T F =75 O C	400 300	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	800	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C	1500	W

Diod

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	1200	V
jag FN	Implementerad Forward Cu Rent	400	A
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	300	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	800	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =300A,V Generella =15V, T j =25 O C		1.50	1.95	V
		jag C =300A,V Generella =15V, T j =125 O C		1.60
		jag C =300A,V Generella =15V, T j = 150 O C		1.65
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =16.0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C	5.3	5.8	6.3	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C			1.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd			0.5		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		41.4		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		1.16		NF
Q G	Portavgift	V Generella =15V		3.11		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =500V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C		171		N
T R	Uppgångstid			54		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			433		N
T F	Hösttid			41		N
E på	Tänd Växling Förlust			18.2		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			13.4		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =500V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C		193		N
T R	Uppgångstid			54		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			546		N
T F	Hösttid			93		N
E på	Tänd Växling Förlust			25.7		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			26.8		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =500V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C		203		N
T R	Uppgångstid			64		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			628		N
T F	Hösttid			93		N
E på	Tänd Växling Förlust			27.8		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			30.9		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V		1600		A

Diod Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C		1.55	1.80	V
		jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 25O C		1.50
		jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 50O C		1.45
Q R	Återkrävt avgift	V R =500V,I F =300A, -di/dt=3150A/μs,V Generella =-15V T j =25 O C		25.7		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			229		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			6.7		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =500V,I F =300A, -di/dt=3150A/μs,V Generella =-15V T j =125 O C		49.0		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			380		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			17.1		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R =500V,I F =300A, -di/dt=3150A/μs,V Generella =-15V T j = 150 O C		57.0		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			380		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			20.0		MJ

NTC Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modul Egenskaper T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
△ P	Tryckfall Kyl Cir svamp △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ;T F =25 O C ;Kylning Vätska=50% Vatten/50% Etylenglykol		100		Mbar
P	Maximal tryck i kylcirkulationen svamp			2.5	bar
L ce	Strömavtryck		14		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.80		mΩ
R thJF	Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT ) Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.)			0.100 0.125	K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6	2.5 3.0		5.0 6.0	N.M
G	Vikt av Modul		1250		G