GD400CLX120C2S,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

636

400

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

2083

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

400

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

800

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.75

2.20

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

2.00

jag C = 400 A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.05

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =14.4 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

37.3

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.04

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.80

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V Generella =±15V, T Vj =25 O C

223

N

T R

Uppgångstid

49

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

334

N

T F

Hösttid

190

N

E på

Tänd Växling Förlust

17.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

28.7

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V Generella =±15V, T Vj =125 O C

230

N

T R

Uppgångstid

54

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

385

N

T F

Hösttid

300

N

E på

Tänd Växling Förlust

29.4

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

41.2

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V Generella =±15V, T Vj = 150 O C

228

N

T R

Uppgångstid

57

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

393

N

T F

Hösttid

315

N

E på

Tänd Växling Förlust

32.3

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

42.9

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F = 400 A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

jag F = 400 A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.90

jag F = 400 A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=8030A/μs, L S =50nH, V Generella = 15 V, T Vj =25 O C

33.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

374

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

13.6

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=7030A/μs, L S =50nH, V Generella = 15 V, T Vj =125 O C

67.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

446

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

28.2

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6880A/μs, L S =50nH, V Generella = 15 V, T Vj = 150 O C

75.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

452

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

31.4

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.072 0.113

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.023 0.036 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G