Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Hemsida /  Produkter /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD400CLU120C2SD,IGBT-modul,STARPOWER

IGBT-modul, 1200V 400A, Förpackning:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CLU120C2SD
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 400A.

Funktioner

  • NPT-IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • Låga bytesförluster
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

  • Strömförsörjning med växlande läge
  • Induktionshäftning
  • Elektroniska svetsare

Absolut Maximal Betyg T F =25 o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =60 o C

519

400

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj = 150 o C

2450

W

Diod

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

400

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

800

A

Modul

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C = 400 A,V Generella =15V, T vj =25 o C

2.90

3.35

V

Jag C = 400 A,V Generella =15V, T vj =125 o C

3.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =16.0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

4.5

5.5

6.5

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.6

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

26.0

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.70

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

4.2

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω, L S =30 nH , V Generella =±15V,T vj =25 o C

252

n

t r

Uppgångstid

63

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

427

n

t f

Hösttid

44

n

E

Tänd Växling Förlust

24.7

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

16.5

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω, L S =30 nH , V Generella =±15V,T vj =125 o C

258

n

t r

Uppgångstid

65

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

465

n

t f

Hösttid

57

n

E

Tänd Växling Förlust

35.2

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

22.6

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T vj =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1600

A

Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F = 400 A,V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Jag F = 400 A,V Generella =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6540A/μs, L S =30nH, V Generella = 15 V, T vj =25 o C

38.9

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

401

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

13.8

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6300A/μs, L S =30nH, V Generella = 15 V, T vj =125 o C

68.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

444

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

26.2

mJ

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.35

R tJC

Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.051 0.114

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.019 0.042 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g

Översikt

image(c3756b8d25).png

Ekvivalent krets schema

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
0/100
Namn
0/100
Företagsnamn
0/200
Meddelande
0/1000

RELATERAT PRODUKT

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
0/100
Namn
0/100
Företagsnamn
0/200
Meddelande
0/1000