GD3600SGX170C4S,IGBT Modul,Högströms IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =100 O C

3600

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

7200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

21.4

kW

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1700

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

3600

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

7200

A

jag FSM

Spetsström framåt V R =0V,T P =10ms, @T j =25 O C @T j = 150 O C

23.22 19.95

kA

jag 2T

jag 2T-värde,V R =0V,T P =10m s,T j =25 O C jag 2T-värde,V R =0V,T P =10ms ,t j = 150 O C

2695

1990

kA 2S

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =3600A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.85

2.30

V

jag C =3600A,V Generella =15V, T j =125 O C

2.25

jag C =3600A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.30

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =144.0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

0.7

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

427

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

10.7

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

35.3

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j =25 O C

1161

N

T R

Uppgångstid

413

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

4761

N

T F

Hösttid

430

N

E på

Tänd Växling Förlust

1734

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

2580

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j =125 O C

1370

N

T R

Uppgångstid

547

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

5303

N

T F

Hösttid

457

N

E på

Tänd Växling Förlust

2679

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

2881

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff =0.9Ω, V Generella =-9V/+15V,

L S =65 nH ,T j = 150 O C

1413

N

T R

Uppgångstid

585

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

5490

N

T F

Hösttid

473

N

E på

Tänd Växling Förlust

2863

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

2960

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

14.0

kA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =3600A,V Generella =0V,T j = 25O C

1.80

2.25

V

jag F =3600A,V Generella =0V,T j =125 O C

1.90

jag F =3600A,V Generella =0V,T j = 150 O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =3600A,

-di/dt=7000A/μs,V Generella =-9V, L S =65 nH ,T j =25 O C

207

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

1030

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

199

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =3600A,

-di/dt=5700/μs,V Generella =-9V, L S =65 nH ,T j =125 O C

288

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

1020

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

339

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =3600A,

-di/dt=5200A/μs,V Generella =-9V, L S =65 nH ,T j = 150 O C

391

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

996

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

341

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

6.0

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.085

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

7.0 12.8

K/kW

R ThCH

housse -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

6.2 11.3 4.0

K/kW

D - Sväpnad.

Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal

32.2 32.2

mm

D klar

Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal

19.1 19.1

mm

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Vikt av Modul

2060

G