IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD3600SGT120C4S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

4800

A

3600

jag CM (1)

Pulsad samlarström t P = 1 ms

7200

A

jag F

Diod kontinuerlig framström

3600

A

jag FM

Diodens maximala framåtsträcka hyra

7200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =17 5℃

16.7

kW

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montering

Signalterminal Skruv:M4

1.8 till 2.1

Förstärkning av motorn

8.0 till 10

N.M

Vridmoment

Montering Skruv: M6

4.25 till 5.75

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

jag C =145 mA ,V ce = V Generella ,t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =3600A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

V

jag C =3600A,V Generella =15V, t j =125 ℃

2.00

2.45

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

35.0

μC

r Gint

Inre portmotstånd

t j =25 ℃

0.5

Ω

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =3600A, r Gon =0.8Ω,

r Goff =0.2Ω,

V Generella = ± 15V,T j =25 ℃

600

N

t r

Uppgångstid

235

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

825

N

t F

Hösttid

145

N

E på

Tänd Förlust vid byte

/

MJ

E Avstängd

Avstängningsswitchförlust

/

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =3600A, r Gon =0.8Ω,

r Goff =0.2Ω,

V Generella = ± 15V,T j =125 ℃

665

N

t r

Uppgångstid

215

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

970

N

t F

Hösttid

180

N

E på

Tänd Förlust vid byte

736

MJ

E Avstängd

Avstängningsswitchförlust

569

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

258

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

13.5

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

11.7

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C ≤ 10μs,V Generella =15V, t j =125 ℃ ,V CC = 900 V, V CEM ≤ 1200V

14000

A

L ce

Strömavtryck

10

nH

r CC + EE ’

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.12

M Ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =3600A

t j =25 ℃

1.65

2.15

V

t j =125 ℃

1.65

2.15

Q r

Återkrävt avgift

jag F =3600A,

V r =600 V,

r Gon =0.8Ω,

V Generella - Det är inte sant. 15V

t j =25 ℃

360

μC

t j =125 ℃

670

jag RM

Omvänd återhämtning Nuvarande

t j =25 ℃

2500

A

t j =125 ℃

3200

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

97

MJ

t j =125 ℃

180

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

9.0

K/kW

r θ JC

Junction-to-Case (per Dio de)

15.6

K/kW

r θ CS

Kapsling till kylare

(Ledande fett applicerat, per M odul)

4

K/kW

Vikt

Vikt av Modul

2250

G