Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

hemsida /  Produkter /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD300MNX120C6SA, IGBT-modul, STARPOWER

IGBT-modul, 1200V 300A, Förpackning: C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300MNX120C6SA
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 300a.

Funktioner

  • NPT-IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • Låga bytesförluster
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

  • Solenergi
  • UPS
  • 3-nivå-applikationer

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT-omvandlare

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

468

300

A

jag CRM

Upprepande Höjdpunkt Samlar Nuvarande tp begränsad Av T vjop

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

1530

W

Diod-omvandlare

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

300

A

jag Från och med den 1 januari

Upprepande Höjdpunkt Framåt Nuvarande tp begränsad Av T vjop

600

A

Diode-3-nivå

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

300

A

jag Från och med den 1 januari

Upprepande Höjdpunkt Framåt Nuvarande tp begränsad Av T vjop

600

A

Modul

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =300A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

1.95

jag C =300A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =12.0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

31.1

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.87

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.33

μC

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, R G =2.4Ω,Ls=35nH, V Generella =±15V,T Vj =25 O C

215

N

T R

Uppgångstid

53

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

334

N

T F

Hösttid

205

N

E

Tänd Växling Förlust

21.5

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

20.7

MJ

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, R G =2.4Ω,Ls=35nH, V Generella =±15V,T Vj =125 O C

231

N

T R

Uppgångstid

59

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

361

N

T F

Hösttid

296

N

E

Tänd Växling Förlust

30.1

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

28.1

MJ

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, R G =2.4Ω,Ls=35nH, V Generella =±15V,T Vj = 150 O C

240

N

T R

Uppgångstid

62

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

376

N

T F

Hösttid

311

N

E

Tänd Växling Förlust

32.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

29.9

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1200

A

Diod -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

jag F =300A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.90

jag F =300A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V Generella =-15V,T Vj =25 O C

36.3

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

235

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

15.7

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V Generella =-15V,T Vj =125 O C

61.3

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

257

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

27.5

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V Generella =-15V,T Vj = 150 O C

68.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

262

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

30.8

MJ

Diod -3- Nivå Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

jag F =300A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.90

jag F =300A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V Generella =-15V,T Vj =25 O C

36.2

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

290

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

13.4

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V Generella =-15V,T Vj =125 O C

56.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

301

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

22.2

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V Generella =-15V,T Vj = 150 O C

65.9

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

306

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

26.3

MJ

NTC Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

35

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.45

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Inverter ) Förbindelse mellan junction och kassa (per diod-inverter er) Förbindelse mellan junction och kassa (per diod-3-nivå er)

0.098 0.176 0.176

K/W

R ThCH

Förbindelse mellan kassa och sink (per IGBT-inverter er) Förbindelse mellan kassa och sink (per diod-i nverter) Förbindelse mellan kassa och sink (per diod-3- nivå) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

G

Översikt

Ekvivalent krets schema

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAT PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett erbjudande

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000