IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C = 100O C

493

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 O C

1829

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

600

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j =125 O C

2.25

jag C =300A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 12.0mA,V ce =V Generella , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

36.1

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.88

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.83

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r Gon = 3,3Ω,

r Goff =4.7Ω, V Generella =± 15 V,

t j =25 O C

213

N

t r

Uppgångstid

83

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

621

N

t F

Hösttid

350

N

E på

Tänd Växling Förlust

79.2

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

70.2

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r Gon = 3,3Ω,

r Goff =4.7Ω, V Generella =± 15 V,

t j = 125O C

240

N

t r

Uppgångstid

92

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

726

N

t F

Hösttid

649

N

E på

Tänd Växling Förlust

104

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

108

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r Gon = 3,3Ω, r Goff =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150O C

248

N

t r

Uppgångstid

95

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

736

N

t F

Hösttid

720

N

E på

Tänd Växling Förlust

115

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

116

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.90

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Generella =-15V t j =25 O C

82.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

407

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

46.6

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Generella =-15V t j =125 O C

138

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

462

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

92.2

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V Generella =-15V t j = 150 O C

154

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

460

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

109

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

ΔR/R

Avvikelse av r 100

t C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.082 0.129

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Högsta värmeeffekt (p) Diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.029 0.046 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

G