GD300HFX170C6SA,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

1829

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1700

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

600

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

jag C =300A,V Generella =15V, T j =125 O C

2.25

jag C =300A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =12.0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

36.1

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.88

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.83

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A,

R Gon = 3,3Ω, R Goff =4.7Ω, L S =66nH,V Generella =± 15 V, T j =25 O C

265

N

T R

Uppgångstid

94

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

565

N

T F

Hösttid

326

N

E på

Tänd Växling Förlust

77.6

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

52.8

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A,

R Gon = 3,3Ω, R Goff =4.7Ω, L S =66nH,V Generella =± 15 V, T j =125 O C

302

N

T R

Uppgångstid

104

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

631

N

T F

Hösttid

521

N

E på

Tänd Växling Förlust

108

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

72.8

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A,

R Gon = 3,3Ω, R Goff =4.7Ω, L S =66nH,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C

313

N

T R

Uppgångstid

108

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

645

N

T F

Hösttid

545

N

E på

Tänd Växling Förlust

119

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

78.4

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C ,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 25O C

1.95

jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 50O C

1.90

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2650A/μs,V Generella =-15V L S =66 nH ,T j =25 O C

56.3

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

228

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

38.4

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2300A/μs,V Generella =-15V L S =66 nH ,T j =125 O C

89.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

262

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

60.2

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2250A/μs,V Generella =-15V L S =66 nH ,T j = 150 O C

102

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

272

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

69.6

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.082 0.121

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.030 0.045 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

G