IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

493

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effektförlust t = 175 O C

1829

W

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j =125 O C

2.25

jag C =300A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 12.0mA,V ce =V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

36.1

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.88

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

2.83

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

204

N

t r

Uppgångstid

48

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

595

N

t F

Hösttid

100

N

E på

Tänd Växling

Förlust

69.3

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

63.3

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G =2.4Ω

,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

224

N

t r

Uppgångstid

55

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

611

N

t F

Hösttid

159

N

E på

Tänd Växling

Förlust

96.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

99.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G =2.4Ω

,V Generella =± 15 V, t j = 150O C

240

N

t r

Uppgångstid

55

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

624

N

t F

Hösttid

180

N

E på

Tänd Växling

Förlust

107

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

105

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.90

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

55

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

297

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

32.2

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =125 O C

116

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

357

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

68.2

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150 O C

396

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

120

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

81.6

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.35

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.082

0.129

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G