GD300HFX170C2SA,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

1829

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1700

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.85

2.30

V

jag C =300A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

2.25

jag C =300A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =12.0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

36.1

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.88

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.83

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V Generella =± 15 V,

T Vj =25 O C

355

N

T R

Uppgångstid

71

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

473

N

T F

Hösttid

337

N

E på

Tänd Växling Förlust

89.3

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

46.3

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V Generella =± 15 V,

T Vj =125 O C

383

N

T R

Uppgångstid

83

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

549

N

T F

Hösttid

530

N

E på

Tänd Växling Förlust

126

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

68.5

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, R G =2.4Ω, Ls=42nH, V Generella =± 15 V,

T Vj = 150 O C

389

N

T R

Uppgångstid

88

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

575

N

T F

Hösttid

585

N

E på

Tänd Växling Förlust

139

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

73.4

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj = 150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.80

2.25

V

jag F =300A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.95

jag F =300A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C

1.90

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=3247A/μs,V Generella =-15V Lärare =42 nH ,T Vj =25 O C

68

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

202

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

34.5

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2579A/μs,V Generella =-15V Lärare =42 nH ,T Vj =125 O C

114

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

211

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

61.2

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2395A/μs,V Generella =-15V Lärare =42 nH ,T Vj = 150 O C

136

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

217

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

73.9

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.082 0.127

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.033 0.051 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G