GD300HFX120C6SA, IGBT-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 300a.

Funktioner

Låg V CE (sat) Trench IGB T-teknik

10 μs kortslutning Kapacitet

V ce (satt ) med positiv Temperatur Koefficient

Maximal sammanslagningstemperatur 175O C

Låg induktanshus

Snabb och mjuk omvänd återhämtning FWD mot parallell

Isolerad kopparbottenpl at med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Inverterare för motordrivning

AC- och DC-servo Drivkraft förstärka r

Oavbruten strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C	496 300	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	600	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C	1685	W

Diod

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	1200	V
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	300	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	600	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =300A,V Generella =15V, T j =25 O C		1.70	2.15	V
		jag C =300A,V Generella =15V, T j =125 O C		1.95
		jag C =300A,V Generella =15V, T j = 150 O C		2.00
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =12.0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C			1.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning			2.5		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		31.1		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		0.87		NF
Q G	Portavgift	V Generella =-15 ...+15V		2.33		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C		313		N
T R	Uppgångstid			57		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			464		N
T F	Hösttid			206		N
E på	Tänd Växling Förlust			9.97		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			28.6		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C		336		N
T R	Uppgångstid			66		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			528		N
T F	Hösttid			299		N
E på	Tänd Växling Förlust			21.1		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			36.6		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =300A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C		345		N
T R	Uppgångstid			68		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			539		N
T F	Hösttid			309		N
E på	Tänd Växling Förlust			25.6		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			37.8		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V		1200		A

Diod Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
V F	Diod framåt Spänning	jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 25O C		1.90
		jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =300A, -di/dt=6950A/μs,V Generella = 15 V, T j =25 O C		10.8		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			272		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			9.53		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =300A, -di/dt=6090A/μs,V Generella = 15 V, T j =125 O C		24.2		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			276		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			18.4		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =300A, -di/dt=5440A/μs,V Generella = 15 V, T j = 150 O C		33.6		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			278		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			20.6		MJ

NTC Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck		20		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		1.10		mΩ
R TJC	Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)			0.089 0.150	K/W
R ThCH	housse -till -Värmesänkande (perIGBT ) Hylsa till värmesänk (per diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)		0.029 0.048 0.009		K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Vikt av Modul		350		G