GD300HFU120C2SD,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

320

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

1063

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

600

A

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.40

1.85

V

jag C =300A,V Generella =15V, T j =125 O C

1.60

jag C =300A,V Generella =15V, T j = 175 O C

1.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =8 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

51.5

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.36

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

4.50

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, R G =1.5Ω, Ls=32nH, V Generella =± 15 V,

T j =25 O C

405

N

T R

Uppgångstid

83

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

586

N

T F

Hösttid

129

N

E på

Tänd Växling Förlust

34.3

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

19.3

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, R G =1.5Ω, Ls=32nH, V Generella =± 15 V,

T j =125 O C

461

N

T R

Uppgångstid

107

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

676

N

T F

Hösttid

214

N

E på

Tänd Växling Förlust

48.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

26.6

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, R G =1.5Ω, Ls=32nH, V Generella =± 15 V,

T j = 175 O C

518

N

T R

Uppgångstid

124

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

738

N

T F

Hösttid

264

N

E på

Tänd Växling Förlust

58.1

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

31.7

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤7μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1150

A

T P ≤6μs, V Generella =15V,

T j = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1110

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.60

2.00

V

jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 25O C

1.60

jag F =300A,V Generella =0V,T j =1 75O C

1.50

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=3135A/μs, V Generella = 15 V, Ls=32nH, T j =25 O C

19.1

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

140

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

4.92

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=2516A/μs, V Generella =-15V Ls=32nH, T j =125 O C

33.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

159

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

9.35

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =300A,

-di/dt=2204A/μs, V Generella =-15V Ls=32nH, T j = 175 O C

46.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

171

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

13.7

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

21

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip

1.80

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.141 0.243

K/W

R ThCH

housse -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.085 0.147 0.009

K/W

M

Monteringsskruv:M6

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G