IGBT-modul, 1200V 300A, Förpackning: C2
Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 300a.
Funktioner
Typiska Tillämpningar
Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
jag C |
Samlarström @ T C =25 O C @ T C = 95 O C |
452 300 |
A |
jag CM |
Pulsad samlarström t P =1 ms |
600 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C |
1724 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värden |
enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt Ålder |
1200 |
V |
jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent |
300 |
A |
jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms |
600 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
värde |
enhet |
T vjmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
O C |
T vjop |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
O C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
O C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
enhet |
V CE (sat) |
Samlare till emitterare Mätningsspänning |
jag C =300A,V Generella =15V, T Vj =25 O C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
jag C =300A,V Generella =15V, T Vj =125 O C |
|
2.25 |
|
|||
jag C =300A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C |
|
2.35 |
|
|||
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
jag C = 7,50 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C |
|
|
1.0 |
mA |
jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C |
|
|
400 |
NA |
R Gint |
Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning |
|
|
2.5 |
|
Ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
31.1 |
|
NF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.87 |
|
NF |
|
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15…+15V |
|
2.33 |
|
μC |
T D (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =300A, R G =1.6Ω, Ls=45nH, V Generella =±15V,T Vj =25 O C |
|
200 |
|
N |
T R |
Uppgångstid |
|
47 |
|
N |
|
T d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
245 |
|
N |
|
T F |
Hösttid |
|
65 |
|
N |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
20.8 |
|
MJ |
|
E Avstängd |
Avstängning Förlust |
|
9.15 |
|
MJ |
|
T D (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =300A, R G =1.6Ω, Ls=45nH, V Generella =±15V,T Vj =125 O C |
|
206 |
|
N |
T R |
Uppgångstid |
|
49 |
|
N |
|
T d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
280 |
|
N |
|
T F |
Hösttid |
|
94 |
|
N |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
29.9 |
|
MJ |
|
E Avstängd |
Avstängning Förlust |
|
12.5 |
|
MJ |
|
T D (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =300A, R G =1.6Ω, Ls=45nH, V Generella =±15V,T Vj = 150 O C |
|
209 |
|
N |
T R |
Uppgångstid |
|
51 |
|
N |
|
T d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
295 |
|
N |
|
T F |
Hösttid |
|
105 |
|
N |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
35.1 |
|
MJ |
|
E Avstängd |
Avstängning Förlust |
|
13.6 |
|
MJ |
|
jag SC |
SK-uppgifter |
T P ≤10μs, V Generella =15V, T Vj = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V |
|
1200 |
|
A |
Diod Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enheter |
V F |
Diod framåt Spänning |
jag F =300A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
jag F =300A,V Generella =0V,T Vj =125 O C |
|
1.90 |
|
|||
jag F =300A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
Återställd laddning |
V R =600V,I F =300A, -di/dt=5570A/μs, V Generella = 15 V, Lärare =45 nH ,T Vj =25 O C |
|
28.2 |
|
μC |
jag RM |
Höjdpunkt omvänd återställningsström |
|
287 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning energi |
|
8.81 |
|
MJ |
|
Q R |
Återställd laddning |
V R =600V,I F =300A, -di/dt=4930A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =45 nH ,T Vj =125 O C |
|
44.3 |
|
μC |
jag RM |
Höjdpunkt omvänd återställningsström |
|
295 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning energi |
|
14.3 |
|
MJ |
|
Q R |
Återställd laddning |
V R =600V,I F =300A, -di/dt=4580A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =45 nH ,T Vj = 150 O C |
|
50.2 |
|
μC |
jag RM |
Höjdpunkt omvänd återställningsström |
|
300 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning energi |
|
16.0 |
|
MJ |
Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
enhet |
L ce |
Strömavtryck |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd, terminal till chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R TJC |
Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod) |
|
|
0.087 0.153 |
K/W |
R ThCH |
Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul) |
|
0.031 0.055 0.010 |
|
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
300 |
|
G |
Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.