GD2400SGX170C4S,IGBT Modul,Högströms IGBT-modul,STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1 700V 2400A ,C4 .

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
AlSiC-basplattor för cykelförmåga med hög effekt
AlN-underlag för låg termisk resistans ce

Typiska Tillämpningar

Hög effektomvandlare
Motorstyrningar

Absolut Maximal Betyg T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ T C =100 O C	2400	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	4800	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C	13.7	kW

Diod

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	1700	V
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	2400	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	4800	A
jag FSM	Spetsström framåt V R =0V,T P =10ms, @T j =25 O C @T j = 150 O C	18.65 15.25	kA
jag 2T	jag 2T-värde,V R =0V,T P =10m s,T j =25 O C jag 2T-värde,V R =0V,T P =10ms ,t j = 150 O C	1739 1162	kA 2S

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C = 2400A,V Generella =15V, T j =25 O C		1.85	2.30	V
		jag C = 2400A,V Generella =15V, T j =125 O C		2.25
		jag C = 2400A,V Generella =15V, T j = 150 O C		2.35
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =96.0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C			5.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portresis - Självklart.			0.6		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		285		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		7.13		NF
Q G	Portavgift	V Generella =-15…+15V		23.5		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C = 2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V Generella =-9V/+15V, T j =25 O C		609		N
T R	Uppgångstid			232		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1676		N
T F	Hösttid			192		N
E på	Tänd Växling Förlust			784		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			785		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C = 2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V Generella =-9V/+15V, T j =125 O C		732		N
T R	Uppgångstid			280		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			2171		N
T F	Hösttid			243		N
E på	Tänd Växling Förlust			1350		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			1083		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C = 2400A, R G =0.82Ω, L S =32 nH ,V Generella =-9V/+15V, T j = 150 O C		772		N
T R	Uppgångstid			298		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			2294		N
T F	Hösttid			298		N
E på	Tänd Växling Förlust			1533		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			1126		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		10.5		kA

Diod Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F = 2400A,V Generella =0V,T j = 25O C		1.80	2.25	V
		jag F = 2400A,V Generella =0V,T j =125 O C		1.90
		jag F = 2400A,V Generella =0V,T j = 150 O C		1.95
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F = 2400A, -di/dt=9570A/μs,V Generella =-9V, L S =32 nH ,T j =25 O C		243		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			1656		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			274		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F = 2400A, -di/dt=7500A/μs,V Generella =-9V, L S =32 nH ,T j =125 O C		425		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			1692		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			438		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F = 2400A, -di/dt=6990A/μs,V Generella =-9V, L S =32 nH ,T j = 150 O C		534		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			1809		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			563		MJ

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck		6.0		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.10		mΩ
R TJC	Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)			10.9 20.9	K/kW
R ThCH	housse -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)		6.1 11.7 4.0		K/kW
D - Sväpnad.	Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal		32.2 32.2		mm
D klar	Terminal-till-kylare Terminal-till-terminal		19.1 19.1		mm
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
G	Vikt av Modul		1500		G