GD225HFX120C6S, IGBT-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 225a.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Inverterare för motordrivning
Förstärkare för AC- och DC-servoanström
Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ T C =25 O C @ T C =195 O C	338 225	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	450	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C	1071	W

Diod

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	1200	V
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	225	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	450	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =225A,V Generella =15V, T j =25 O C		1.75	2.20	V
		jag C =225A,V Generella =15V, T j =125 O C		2.00
		jag C =225A,V Generella =15V, T j = 150 O C		2.05
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =8.16 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C			1.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning			0.7		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		23.3		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		0.65		NF
Q G	Portavgift	V Generella =-15 ...+15V		1.75		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =225A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C		136		N
T R	Uppgångstid			34		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			372		N
T F	Hösttid			69		N
E på	Tänd Växling Förlust			5.78		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			16.7		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =225A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C		145		N
T R	Uppgångstid			34		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			461		N
T F	Hösttid			88		N
E på	Tänd Växling Förlust			10.6		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			26.0		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =225A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C		153		N
T R	Uppgångstid			34		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			490		N
T F	Hösttid			98		N
E på	Tänd Växling Förlust			12.8		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			28.9		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V		900		A

Diod Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F =225A,V Generella =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		jag F =225A,V Generella =0V,T j =1 25O C		1.90
		jag F =225A,V Generella =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V Generella = 15 V, T j =25 O C		25.9		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			345		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			11.8		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V Generella = 15 V, T j =125 O C		49.5		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			368		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			21.6		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V CC =600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V Generella = 15 V, T j = 150 O C		56.4		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			391		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			24.5		MJ

NTC Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck		20		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		1.10		mΩ
R TJC	Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)			0.140 0.203	K/W
R ThCH	housse -till -Värmesänkande (perIGBT ) Hylsa till värmesänk (per diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)		0.030 0.044 0.009		K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Vikt av Modul		350		G