IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

339

200

A

jag CM

Pulsad samlarström t P = 1 ms

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

1456

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

75

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P = 1 ms

150

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

650

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 95 O C

158

100

A

jag CM

Pulsad samlarström t P = 1 ms

200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

441

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

650

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

100

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P = 1 ms

200

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 100A,V Generella = 15 V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

jag C = 100A,V Generella = 15 V, t j =125 O C

1.65

jag C = 100A,V Generella = 15 V, t j = 150 O C

1.70

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =5.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

3.8

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

20.7

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.58

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

1.56

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, r G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

142

N

t r

Uppgångstid

25

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

352

N

t F

Hösttid

33

N

E på

Tänd Växling

Förlust

1.21

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

3.90

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, r G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

155

N

t r

Uppgångstid

29

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

440

N

t F

Hösttid

61

N

E på

Tänd Växling

Förlust

2.02

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

5.83

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, r G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, t j = 150O C

161

N

t r

Uppgångstid

30

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

462

N

t F

Hösttid

66

N

E på

Tänd Växling

Förlust

2.24

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

6.49

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =75A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

jag F =75A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.65

jag F =75A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Återkrävt avgift

V r =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

8.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

122

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

2.91

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 125O C

17.2

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

143

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

5.72

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150O C

19.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

152

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

6.30

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 100A,V Generella = 15 V, t j =25 O C

1.45

1.90

V

jag C = 100A,V Generella = 15 V, t j =125 O C

1.60

jag C = 100A,V Generella = 15 V, t j = 150 O C

1.70

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 1.60mA,V ce =V Generella , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

11.6

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.23

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

0.69

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, r G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

44

N

t r

Uppgångstid

20

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

200

N

t F

Hösttid

28

N

E på

Tänd Växling

Förlust

1.48

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

2.48

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, r G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

48

N

t r

Uppgångstid

24

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

216

N

t F

Hösttid

40

N

E på

Tänd Växling

Förlust

2.24

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

3.28

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, r G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, t j = 150O C

52

N

t r

Uppgångstid

24

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

224

N

t F

Hösttid

48

N

E på

Tänd Växling

Förlust

2.64

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

3.68

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 6 μs,V Generella = 15 V,

t j = 150 O C,V CC =360V, V CEM ≤ 650 V

500

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 100A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

jag F = 100A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.50

jag F = 100A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Återkrävt avgift

V r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

3.57

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

99

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

1.04

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 125O C

6.49

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

110

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

1.70

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150O C

7.04

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

110

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

1.81

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

ΔR/R

Avvikelse av r 100

t C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

r TJC

Junction-to-Case (per T1, T4 IGBT)

Förbindelsepunkten till kassa (per D1,D4 Dio de)

Förbindelsepunkten till kassa (per T2, T3 IGBT)

Förbindning-till-kassa (per D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per T1,T4 IGBT)

Kassa-till-kylare (per D1,D4 DIODE)

Hylsa till värmesänk (per T2,T3 IGBT)

Kassa-till-kylare (per D2,D3 DIODE)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Monteringskraft Per Fäste

40

80

N

G

Vikt av Modul

39

G