IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

337

200

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

1162

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

400

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

400

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =200A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =200A,V Generella =15V, t j =125 O C

1.95

jag C =200A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =5.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

4.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

20.7

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.58

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

1.55

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

150

N

t r

Uppgångstid

32

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

330

N

t F

Hösttid

93

N

E på

Tänd Växling

Förlust

11.2

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

11.3

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

161

N

t r

Uppgångstid

37

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

412

N

t F

Hösttid

165

N

E på

Tänd Växling

Förlust

19.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

17.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, t j = 150O C

161

N

t r

Uppgångstid

43

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

433

N

t F

Hösttid

185

N

E på

Tänd Växling

Förlust

21.9

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

19.1

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =200A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

jag F =200A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.65

jag F =200A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

17.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

228

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

7.7

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =125 O C

31.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

238

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

13.8

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150 O C

36.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

247

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

15.2

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =200A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

jag F =200A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.65

jag F =200A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

17.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

228

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

7.7

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =125 O C

31.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

238

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

13.8

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150 O C

36.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

247

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

15.2

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

ΔR/R

Avvikelse av r 100

t C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

r TJC

Förening-till-kassa (per T 1-T4 IGBT)

Förening-till-kassa (per D1-D4 Di (s.d.)

Förening-till-kassa (per D5,D6 Dio de)

0.129

0.237

0.232

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per T1-T4 IGBT)

Kassa-till-kylare (per D1-D4 DIODE)

Kassa-till-kylare (per D5,D6 DIODE)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.073

0.134

0.131

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

G

Vikt av Modul

340

G