GD200HFX120C8SN,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

363

200

A

jag CRM

Upprepande Höjdpunkt Samlar Nuvarande tp begränsad Av T vjop

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

1293

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

200

A

jag Från och med den 1 januari

Upprepande Höjdpunkt Framåt Nuvarande tp begränsad Av T vjop

400

A

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =200A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.75

2.20

V

jag C =200A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

2.00

jag C =200A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.05

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =8.0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

18.6

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.52

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.40

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V Generella =±15V, T Vj =25 O C

140

N

T R

Uppgångstid

31

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

239

N

T F

Hösttid

188

N

E på

Tänd Växling Förlust

11.2

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

13.4

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V Generella =±15V, T Vj =125 O C

146

N

T R

Uppgångstid

36

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

284

N

T F

Hösttid

284

N

E på

Tänd Växling Förlust

19.4

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

18.9

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V Generella =±15V, T Vj = 150 O C

148

N

T R

Uppgångstid

37

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

294

N

T F

Hösttid

303

N

E på

Tänd Växling Förlust

21.7

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

19.8

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =200A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

jag F =200A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.90

jag F =200A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V Generella = 15 V, T Vj =25 O C

20.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

220

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

7.5

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V Generella = 15 V, T Vj =125 O C

34.3

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

209

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

12.9

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V Generella = 15 V, T Vj = 150 O C

38.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

204

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

14.6

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.116 0.185

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.150 0.239 0.046

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

G

Vikt av Modul

200

G