IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

297

200

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

937

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

400

A

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =200A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.75

2.20

V

jag C =200A,V Generella =15V, t j =125 O C

2.00

jag C =200A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.05

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =5.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

18.6

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.52

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

1.40

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

120

N

t r

Uppgångstid

26

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

313

N

t F

Hösttid

88

N

E på

Tänd Växling

Förlust

8.96

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

10.7

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

129

N

t r

Uppgångstid

30

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

391

N

t F

Hösttid

157

N

E på

Tänd Växling

Förlust

15.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

16.1

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, t j = 150O C

129

N

t r

Uppgångstid

34

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

411

N

t F

Hösttid

175

N

E på

Tänd Växling

Förlust

17.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

18.1

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

720

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =200A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.75

2.15

V

jag F =200A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.65

jag F =200A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

18.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

239

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

8.08

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =125 O C

33.1

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

250

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

14.5

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150 O C

38.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

259

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

15.9

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

15

nH

r CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.25

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.160

0.206

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.036

0.046

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G