IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C =65 O C

262

200

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 150 O C

1315

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

400

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =200A,V Generella =15V, t j =25 O C

3.00

3.45

V

jag C =200A,V Generella =15V, t j =125 O C

3.80

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =2.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

4.4

5.3

6.0

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.3

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

13.0

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.85

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

2.10

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 4,7Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

87

N

t r

Uppgångstid

40

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

451

N

t F

Hösttid

63

N

E på

Tänd Växling

Förlust

6.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

11.9

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 4,7Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

88

N

t r

Uppgångstid

44

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

483

N

t F

Hösttid

78

N

E på

Tänd Växling

Förlust

11.4

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

13.5

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j =125 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1300

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =200A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

jag F =200A,V Generella =0V,T j =125 O C

2.00

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

13.3

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

236

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

6.6

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =125 O C

23.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

269

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

10.5

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.095

0.202

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.135

0.288

0.046

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

200

G