GD200HFQ120C2SD,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

324

200

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

1181

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

200

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

400

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =200A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.85

2.30

V

jag C =200A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

2.25

jag C =200A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =8.00 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

3.8

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

21.6

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.59

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

1.68

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45 nH , V Generella =±15V,T Vj =25 O C

100

N

T R

Uppgångstid

72

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

303

N

T F

Hösttid

71

N

E på

Tänd Växling Förlust

26.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

6.11

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45 nH , V Generella =±15V,T Vj =125 O C

99

N

T R

Uppgångstid

76

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

325

N

T F

Hösttid

130

N

E på

Tänd Växling Förlust

33.5

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

8.58

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω, L S =45 nH , V Generella =±15V,T Vj = 150 O C

98

N

T R

Uppgångstid

80

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

345

N

T F

Hösttid

121

N

E på

Tänd Växling Förlust

36.2

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

9.05

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

750

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =200A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

jag F =200A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.90

jag F =200A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C

1.95

Q R

Återställd laddning

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V Generella = 15 V, L S =45 nH ,T Vj =25 O C

19.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

96

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

5.66

MJ

Q R

Återställd laddning

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V Generella = 15 V, L S =45 nH ,T Vj =125 O C

29.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

106

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

8.56

MJ

Q R

Återställd laddning

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V Generella = 15 V, L S =45 nH ,T Vj = 150 O C

32.2

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

107

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

9.24

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.127 0.163

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.036 0.046 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G