IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 85 O C

294

200

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

1056

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

400

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =200A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.90

2.35

V

jag C =200A,V Generella =15V, t j = 125O C

2.40

jag C =200A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.55

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =5.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

100

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

3.75

Ω

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

374

N

t r

Uppgångstid

50

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

326

N

t F

Hösttid

204

N

E på

Tänd Växling

Förlust

13.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

10.4

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

419

N

t r

Uppgångstid

63

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

383

N

t F

Hösttid

218

N

E på

Tänd Växling

Förlust

20.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

11.9

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V Generella =± 15 V, t j = 150O C

419

N

t r

Uppgångstid

65

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

388

N

t F

Hösttid

222

N

E på

Tänd Växling

Förlust

22.9

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

11.9

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =200A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

jag F =200A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.90

jag F =200A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

10.2

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

90

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

3.40

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 125O C

26.2

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

132

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

9.75

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150O C

30.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

142

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

11.3

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

26

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.62

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.142

0.202

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.157

0.223

0.046

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

200

G