GD200HFF120C2S, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C

@ T C = 85 o C

294

200

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 o C

1056

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

Jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

400

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C =200A,V Generella =15V, T j =25 o C

1.90

2.35

V

Jag C =200A,V Generella =15V, T j = 125o C

2.40

Jag C =200A,V Generella =15V, T j = 150 o C

2.55

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =5.0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C

100

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

3.75

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

20.7

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.58

nF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

1.55

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 o C

374

n

t r

Uppgångstid

50

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

326

n

t f

Hösttid

204

n

E på

Tänd Växling

Förlust

13.8

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

10.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

419

n

t r

Uppgångstid

63

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

383

n

t f

Hösttid

218

n

E på

Tänd Växling

Förlust

20.8

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

11.9

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

419

n

t r

Uppgångstid

65

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

388

n

t f

Hösttid

222

n

E på

Tänd Växling

Förlust

22.9

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

11.9

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F =200A,V Generella =0V,T j =25 o C

1.90

2.35

V

Jag F =200A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.90

Jag F =200A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j =25 o C

10.2

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

90

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

3.40

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 125o C

26.2

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

132

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

9.75

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 150o C

30.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

142

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

11.3

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

15

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.25

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.142

0.202

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g