GD200FFY120C6S, IGBT-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1200V 200A.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Låga bytesförluster
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Oavbrutbar strömförsörjning
Induktionshäftning
Svärjed maskin

Absolut Maximal Betyg T C =25 o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värden	Enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
Jag C	Samlarström @ T C =25 o C @ T C = 100o C	309 200	A
Jag CM	Pulsad samlarström t p =1 ms	400	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T = 175 o C	1006	W

Diod

Symbol	Beskrivning	Värden	Enhet
V RRM	Upprepad toppomvänd spänning	1200	V
Jag F	Diod kontinuerlig framåtström hyra	200	A
Jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms	400	A

Modul

Symbol	Beskrivning	Värden	Enhet
T jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	o C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	o C
T STG	Lagringstemperatur Räckvidd	-40 till +125	o C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	Jag C =200A,V Generella =15V, T j =25 o C		1.70	2.15	V
		Jag C =200A,V Generella =15V, T j =125 o C		1.95
		Jag C =200A,V Generella =15V, T j = 150 o C		2.00
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	Jag C =5.0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
Jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 o C			1.0	mA
Jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Inre portmotstånd förhandsbeskrivning			4.0		ω
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 o C		150		n
t r	Uppgångstid			32		n
t d (avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			330		n
t f	Hösttid			93		n
E på	Tänd Växling Förlust			11.2		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			11.3		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C		161		n
t r	Uppgångstid			37		n
t d (avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			412		n
t f	Hösttid			165		n
E på	Tänd Växling Förlust			19.8		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			17.0		mJ
t d (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C		161		n
t r	Uppgångstid			43		n
t d (avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			433		n
t f	Hösttid			185		n
E på	Tänd Växling Förlust			21.9		mJ
E avstängd	Avstängning Förlust			19.1		mJ
Jag SC	SK-uppgifter	t P ≤ 10 μs, V Generella =15V, T j = 150 o C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V		800		A

Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
V F	Diod framåt Spänning	Jag F =200A,V Generella =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V
		Jag F =200A,V Generella =0V,T j = 125o C		1.65
		Jag F =200A,V Generella =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j =25 o C		17.6		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			228		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			7.7		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j =125 o C		31.8		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			238		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			13.8		mJ
Q r	Återkrävt avgift	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V T j = 150 o C		36.6		μC
Jag RM	Höjdpunkt omvänd Återställningsström			247		A
E rec	Omvänd återhämtning Energi			15.2		mJ

NTC Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
δR/R	Avvikelse av R 100	T C = 100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Enhet
L Ce	Strömavtryck		21		nH
R CC+EE	Modulledmotstånd e, Terminal till Chip		1.80		mΩ
R tJC	Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod)			0.149 0.206	K/W
R thCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Högsta värmeeffekt (p) diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)		0.031 0.043 0.009		K/W
M	Monteringsskruv:M6	3.0		6.0	N.M
G	Vikt av Modul		300		g