Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

hemsida /  Produkter /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD150PIY120C6SN, IGBT-modul, STARPOWER

1200V 150A, förpackning: C6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD150PIY120C6SN
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 150a.

Funktioner

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal fjälltemperatur 175
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

  • Inverterare för motordrivning
  • Förstärkare för AC- och DC-servoanström
  • Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT-omvandlare

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

292

150

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

300

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

1111

W

Diod-omvandlare

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

150

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

300

A

Diode-rektifierare

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1600

V

jag O

Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg

150

A

jag FSM

Överspännings framström t P =10ms @ T j =2 5O C @ T j = 150 O C

1600

1400

A

jag 2T

jag 2T-värde, t P =10ms @ T j =25 O C @ T j = 150 O C

13000

9800

A 2S

IGBT-broms

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

200

100

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

833

W

Diod -Broms

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

50

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

100

A

Modul

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal spänningsföreningstemperatur (inverterare, broms) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)

175

150

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =150A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =150A,V Generella =15V, T j =125 O C

1.95

jag C =150A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =6.00 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

15.5

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.44

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.17

μC

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C

96

N

T R

Uppgångstid

30

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

255

N

T F

Hösttid

269

N

E

Tänd Växling Förlust

8.59

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

12.3

MJ

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C

117

N

T R

Uppgångstid

37

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

307

N

T F

Hösttid

371

N

E

Tänd Växling Förlust

13.2

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

16.8

MJ

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C

122

N

T R

Uppgångstid

38

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

315

N

T F

Hösttid

425

N

E

Tänd Växling Förlust

14.8

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

18.1

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

600

A

Diod -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =150A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.85

2.25

V

jag F =150A,V Generella =0V,T j =1 25O C

1.90

jag F =150A,V Generella =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V Generella =-15V T j =25 O C

8.62

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

177

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

5.68

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V Generella =-15V T j =125 O C

16.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

191

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

10.2

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V Generella =-15V T j = 150 O C

19.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

196

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

12.1

MJ

Diod -rektifierare Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag C =150A, T j = 150 O C

1.00

V

jag R

Omvänd ström

T j = 150 O C,V R =1600V

3.0

mA

IGBT -Broms Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =100A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =100A,V Generella =15V, T j =125 O C

1.95

jag C =100A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =4.00 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

7.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

10.4

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.29

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.08

μC

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C

170

N

T R

Uppgångstid

32

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

360

N

T F

Hösttid

86

N

E

Tänd Växling Förlust

5.90

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

6.05

MJ

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C

180

N

T R

Uppgångstid

42

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

470

N

T F

Hösttid

165

N

E

Tänd Växling Förlust

9.10

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

9.35

MJ

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C

181

N

T R

Uppgångstid

43

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

480

N

T F

Hösttid

186

N

E

Tänd Växling Förlust

10.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

10.5

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

400

A

Diod -Broms Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =50A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

jag F =50A,V Generella =0V,T j =125 O C

1.90

jag F =50A,V Generella =0V,T j = 150 O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Generella =-15V T j =25 O C

6.3

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

62

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

1.67

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Generella =-15V T j =125 O C

10.1

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

69

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

2.94

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V Generella =-15V T j = 150 O C

11.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

72

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

3.63

MJ

NTC Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

40

nH

R CC+EE R AA + CC

Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip

4.00 3.00

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier) Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Broms )

Förening-till-kassa (per Diode-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

R ThCH

housse -till -Värmesänkande (perIGBT -Inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) housse -till -Värmesänkande (perIGBT -Broms )

Kassa-till-kylblock (per Dio de-brake) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

M

Monteringsmoment Skruv: M5

3.0

6.0

N.M

Översikt

Ekvivalent krets schema

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAT PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett erbjudande

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000