GD150PFX170C6SG, IGBT-modul, STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1700V 150a.

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Inverterare för motordrivning
Förstärkare för AC- och DC-servoanström
Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT-omvandlare

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ T C =25 O C @ T C = 95 O C	232 150	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	300	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C	828	W

Diod-omvandlare

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	1700	V
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	150	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	300	A

Diode-rektifierare

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	1800	V
jag O	Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg	150	A
jag FSM	Överspännings framström t P =10ms @ T j = 25O C @ T j = 150 O C	1600 1400	A
jag 2T	jag 2T-värde, t P =10ms @ T j =25 O C @ T j = 150 O C	13000 9800	A 2S

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T jmax	Maximala kopplings temperatur (inverterare) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)	175 150	O C
T - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =150A,V Generella =15V, T j =25 O C		1.85	2.20	V
		jag C =150A,V Generella =15V, T j =125 O C		2.25
		jag C =150A,V Generella =15V, T j = 150 O C		2.35
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =6.00 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C			5.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning			4.3		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		18.1		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		0.44		NF
Q G	Portavgift	V Generella =-15 ...+15V		1.41		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =150A, R G = 4,7Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T j =25 O C		292		N
T R	Uppgångstid			55		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			458		N
T F	Hösttid			392		N
E på	Tänd Växling Förlust			33.6		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			26.3		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =150A, R G = 4,7Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T j =125 O C		342		N
T R	Uppgångstid			67		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			520		N
T F	Hösttid			568		N
E på	Tänd Växling Förlust			50.5		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			35.7		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =150A, R G = 4,7Ω,V Generella =± 15 V, L S =46 nH ,T j = 150 O C		352		N
T R	Uppgångstid			68		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			535		N
T F	Hösttid			589		N
E på	Tänd Växling Förlust			53.3		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			36.3		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		600		A

Diod -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F =150A,V Generella =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		jag F =150A,V Generella =0V,T j =1 25O C		1.90
		jag F =150A,V Generella =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =150A, -di/dt=2340A/μs,V Generella =-15V L S =46 nH ,T j =25 O C		21.3		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			183		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			20.4		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =150A, -di/dt=2000A/μs,V Generella =-15V L S =46 nH ,T j =125 O C		36.2		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			196		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			33.9		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =150A, -di/dt=1830A/μs,V Generella =-15V L S =46 nH ,T j = 150 O C		41.2		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			199		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			36.3		MJ

Diod -rektifierare Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag C =150A, T j = 150 O C		0.90		V
jag R	Omvänd ström	T j = 150 O C,V R =1800V			3.0	mA

NTC Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
R 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av R 100	T C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B-värde	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
R TJC	Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Inverter ) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier)			0.181 0.300 0.289	K/W
R ThCH	housse -till -Värmesänkande (perIGBT -Inverter )Kasse-till-kylblock (per Diode-i nverter) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) Hylsa till värmesänk (per Modul)		0.092 0.152 0.146 0.009		K/W
M	Monteringsmoment Skruv: M5	3.0		6.0	N.M
G	Vikt av Modul		300		G