GD150HFX170C1S, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

229

150

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

300

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

815

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1700

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

150

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

300

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =150A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.85

2.30

V

jag C =150A,V Generella =15V, T j =125 O C

2.25

jag C =150A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 6,0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

5.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

18.1

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.44

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.41

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, L S = 70 nH , T j =25 O C

303

N

T R

Uppgångstid

75

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

417

N

T F

Hösttid

352

N

E på

Tänd Växling Förlust

42.3

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

25.3

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, L S = 70 nH ,T j =125 O C

323

N

T R

Uppgångstid

88

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

479

N

T F

Hösttid

509

N

E på

Tänd Växling Förlust

58.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

34.9

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, L S = 70 nH ,T j = 150 O C

327

N

T R

Uppgångstid

90

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

498

N

T F

Hösttid

608

N

E på

Tänd Växling Förlust

65.6

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

40.2

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =150A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F =150A,V Generella =0V,T j =1 25O C

1.90

jag F =150A,V Generella =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V Generella =-15V L S = 70 nH , T j =25 O C

26.2

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

131

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

21.6

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V Generella =-15V L S =70nH, T j =125 O C

48.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

140

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

40.1

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V Generella =-15V L S =70nH, T j = 150 O C

52.3

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

142

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

42.5

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.65

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.184 0.368

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.150 0.300 0.050

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

150

G