GD150HFU120C8SD, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C = 85 O C

238

150

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

300

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 150 O C

1237

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

150

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

300

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +125

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =150A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

2.90

3.35

V

jag C =150A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

3.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =3.0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.50

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =30V, f=1MHz, V Generella =0V

19.2

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.60

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

1.83

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=35nH, V Generella =±15V,T Vj =25 O C

183

N

T R

Uppgångstid

73.8

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

438

N

T F

Hösttid

33.0

N

E på

Tänd Växling Förlust

12.8

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

5.31

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=35nH, V Generella =±15V,T Vj =125 O C

185

N

T R

Uppgångstid

74

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

476

N

T F

Hösttid

44.5

N

E på

Tänd Växling Förlust

15.5

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

7.74

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

975

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =150A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

jag F =150A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.90

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs, Ls=35nH, V Generella = 15 V, T Vj =25 O C

11.9

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

113

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

4.02

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs, Ls=35nH, V Generella = 15 V, T Vj =125 O C

22.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

139

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

8.58

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.101 0.257

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.028 0.071 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G