GD150HCX170C6SA ,IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

281

150

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

300

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

1136

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1700

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

150

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

300

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =150A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.85

2.20

V

jag C =150A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

2.25

jag C =150A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =6.00 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

4.3

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

18.1

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.44

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

1.41

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G =0.51Ω,V Generella =± 15 V, Lärare = 48 nH ,T Vj =25 O C

206

N

T R

Uppgångstid

44

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

337

N

T F

Hösttid

331

N

E på

Tänd Växling Förlust

39.5

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

21.7

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G =0.51Ω,V Generella =± 15 V, Lärare = 48 nH ,T Vj =125 O C

232

N

T R

Uppgångstid

54

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

422

N

T F

Hösttid

514

N

E på

Tänd Växling Förlust

55.3

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

32.7

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =150A, R G =0.51Ω,V Generella =± 15 V, Lärare = 48 nH ,T Vj = 150 O C

239

N

T R

Uppgångstid

57

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

442

N

T F

Hösttid

559

N

E på

Tänd Växling Förlust

60.8

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

34.9

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj = 150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =150A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.80

2.25

V

jag F =150A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.95

jag F =150A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C

1.90

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V Generella =-15V Lärare = 48 nH ,T Vj =25 O C

42.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

142

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

22.3

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V Generella =-15V Lärare = 48 nH ,T Vj =125 O C

64.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

147

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

35.0

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R = 900 V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V Generella =-15V Lärare = 48 nH ,T Vj = 150 O C

72.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

148

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

38.8

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.132 0.209

K/W

R ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.029 0.047 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

G