GD1200SGX170A3S,IGBT Modul,Högströms IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

2206

1200

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

2400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

8.77

kW

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1700

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

1200

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

2400

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =1200A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.85

2.20

V

jag C =1200A,V Generella =15V, T j =125 O C

2.25

jag C =1200A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =48.0 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

1.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

145

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

3.51

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

11.3

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V Generella =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j =25 O C

440

N

T R

Uppgångstid

112

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1200

N

T F

Hösttid

317

N

E på

Tänd Växling Förlust

271

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

295

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V Generella =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j =125 O C

542

N

T R

Uppgångstid

153

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1657

N

T F

Hösttid

385

N

E på

Tänd Växling Förlust

513

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

347

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V Generella =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j = 150 O C

547

N

T R

Uppgångstid

165

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1695

N

T F

Hösttid

407

N

E på

Tänd Växling Förlust

573

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

389

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

4800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =1200A,V Generella =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

jag F =1200A,V Generella =0V, T j =125℃

1.90

jag F =1200A,V Generella =0V, T j =150℃

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V Generella =-9V, L S =65nH,T j =25℃

190

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

844

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

192

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V Generella =-9V, L S =65nH,T j =125℃

327

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

1094

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

263

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V Generella =-9V, L S =65nH,T j =150℃

368

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

1111

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

275

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

12

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.19

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

17.1 26.2

K/kW

R ThCH

housse -till -Värmesänkande (perIGBT )Högsta värmeeffekt (p) Diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Effektterminal Skruv:M4 Effektterminal Skruv:M8 Monteringsskruv:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

G

Vikt av Modul

1050

G