IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD1200SGT120C3S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1900

1200

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

2400

A

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

@ T C =80 ℃

1200

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

2400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =1 75℃

6.79

kW

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montering Vridmoment

Sjukdomsfall:

1.8 till 2.1

Förstärkning av motorn

8.0 till 10

N.M

Monteringsskruv:M6

4,25 till 5,75

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 48 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 1200A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

V

jag C = 1200A,V Generella =15V, t j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =1200A,

r Gon = 1.8Ω,R Goff = 0,62Ω,

V Generella =±15V,T j =25 ℃

550

N

t r

Uppgångstid

230

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

830

N

t F

Hösttid

160

N

E på

Tänd Växling Förlust

/

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

/

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 1200A,

r Gon = 1.8Ω,R Goff = 0,62Ω, V Generella =±15V,T j =125 ℃

650

N

t r

Uppgångstid

240

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

970

N

t F

Hösttid

190

N

E på

Tänd Växling Förlust

246

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

189

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

85.5

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

4.48

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

3.87

NF

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j =125 °C,

V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

4800

A

r Gint

Inre port

motstånd

1.9

Ω

L ce

Strömavtryck

15

nH

r CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.10

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 1200A

t j =25 ℃

1.65

2.05

V

t j =125 ℃

1.65

Q r

Återställd

laddning

jag F = 1200A,

V r =600 V,

r Gon = 0,6Ω,

V Generella =-15V

t j =25 ℃

112

μC

t j =125 ℃

224

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

850

A

t j =125 ℃

1070

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

48.0

MJ

t j =125 ℃

96.0

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

22.1

K/kW

r θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

36.8

K/kW

r θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)

6

K/kW

Vikt

Vikt Modul

1500

G