GD2400SGX170C4S,IGBT Modul,Högströms IGBT-modul,STARPOWER

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1 700V 1200A ,A3 .

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
10 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

Hög effektomvandlare
Motorstyrningar
Vindkraftverk

Absolut Maximal Betyg T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1700	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C	1965 1200	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	2400	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C	6.55	kW

Diod

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	1700	V
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	1200	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	2400	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
T vjmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
T vjop	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	O C
T STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =1200A,V Generella =15V, T Vj =25 O C		1.85	2.30	V
		jag C =1200A,V Generella =15V, T Vj =125 O C		2.25
		jag C =1200A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C		2.35
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =48.0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C			5.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning			1.6		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		142		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V		3.57		NF
Q G	Portavgift	V Generella =-15 ...+15V		11.8		μC
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V Generella =-10/+15V, L S =110nH,T Vj =25 O C		700		N
T R	Uppgångstid			420		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1620		N
T F	Hösttid			231		N
E på	Tänd Växling Förlust			616		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			419		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V Generella =-10/+15V, L S =110nH,T Vj =125 O C		869		N
T R	Uppgångstid			495		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			1976		N
T F	Hösttid			298		N
E på	Tänd Växling Förlust			898		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			530		MJ
T D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC = 900 V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff = 3,3Ω, V Generella =-10/+15V, L S =110nH,T Vj = 150 O C		941		N
T R	Uppgångstid			508		N
T d(off)	Avstängning Fördröjningstider			2128		N
T F	Hösttid			321		N
E på	Tänd Växling Förlust			981		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			557		MJ
jag SC	SK-uppgifter	T P ≤10μs, V Generella =15V, T Vj = 150 O C ,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		4800		A

Diod Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F =1200A,V Generella =0V,T Vj =25 O C		1.80	2.25	V
		jag F =1200A,V Generella =0V,T Vj =125 O C		1.90
		jag F =1200A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C		1.95
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =1200A, -di/dt=2430A/μs,V Generella =-10V, L S =110nH,T Vj =25 O C		217		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			490		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			108		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =1200A, -di/dt=2070A/μs,V Generella =-10V, L S =110nH,T Vj =125 O C		359		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			550		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			165		MJ
Q R	Återkrävt avgift	V R = 900 V,I F =1200A, -di/dt=1970A/μs,V Generella =-10V, L S =110nH,T Vj = 150 O C		423		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			570		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			200		MJ

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck		20		nH
R CC+EE	Modul blymotstånd Terminal till chip		0.37		mΩ
R TJC	Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)			22.9 44.2	K/kW
R ThCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)		18.2 35.2 6.0		K/kW
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutningsmoment Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
G	Vikt av Modul		1500		G