Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

hemsida /  Produkter /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD100PIX120C6SNA, IGBT-modul, STARPOWER

1200V 150A, förpackning: C6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100PIX120C6SNA
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 100a.

Funktioner

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal fjälltemperatur 175
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

  • Inverterare för motordrivning
  • Förstärkare för AC- och DC-servoanström
  • Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT-omvandlare

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

155

100

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

511

W

Diod-omvandlare

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

100

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

200

A

Diode-rektifierare

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1600

V

jag O

Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg

100

A

jag FSM

Överspännings framström t P =10ms @ T j = 25O C @ T j = 150 O C

1150

880

A

jag 2T

jag 2T-värde, t P =10ms @ T j =25 O C @ T j = 150 O C

6600

3850

A 2S

IGBT-broms

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

87

50

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

100

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

308

W

Diod -Broms

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

25

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

50

A

Modul

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T jmax

Maximal spänningsföreningstemperatur (inverterare, broms) Maximala kopplings temperatur (rektifierare)

175

150

O C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =100A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =100A,V Generella =15V, T j =125 O C

1.95

jag C =100A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =4.00 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

7.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

10.4

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.29

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.78

μC

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C

218

N

T R

Uppgångstid

35

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

287

N

T F

Hösttid

212

N

E

Tänd Växling Förlust

9.23

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

6.85

MJ

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C

242

N

T R

Uppgångstid

41

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

352

N

T F

Hösttid

323

N

E

Tänd Växling Förlust

13.6

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

9.95

MJ

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C

248

N

T R

Uppgångstid

43

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

365

N

T F

Hösttid

333

N

E

Tänd Växling Förlust

14.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

10.5

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

400

A

Diod -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =100A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

jag F =100A,V Generella =0V,T j =1 25O C

1.90

jag F =100A,V Generella =0V,T j =1 50O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V Generella =-15V T j =25 O C

5.89

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

103

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

3.85

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V Generella =-15V T j =125 O C

13.7

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

109

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

6.64

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V Generella =-15V T j = 150 O C

15.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

109

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

7.39

MJ

Diod -rektifierare Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =100A, T j = 150 O C

0.95

V

jag R

Omvänd ström

T j = 150 O C,V R =1600V

2.0

mA

IGBT -Broms Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =50A,V Generella =15V, T j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =50A,V Generella =15V, T j =125 O C

1.95

jag C =50A,V Generella =15V, T j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =2.00 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd

0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

5.18

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.15

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.39

μC

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C

171

N

T R

Uppgångstid

32

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

340

N

T F

Hösttid

82

N

E

Tänd Växling Förlust

6.10

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

2.88

MJ

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C

182

N

T R

Uppgångstid

43

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

443

N

T F

Hösttid

155

N

E

Tänd Växling Förlust

8.24

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

4.43

MJ

T D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C

182

N

T R

Uppgångstid

43

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

464

N

T F

Hösttid

175

N

E

Tänd Växling Förlust

8.99

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

4.94

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

200

A

Diod -Broms Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =25A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

jag F =25A,V Generella =0V,T j =125 O C

1.90

jag F =25A,V Generella =0V,T j = 150 O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j =25 O C

2.9

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

55

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

0.93

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j =125 O C

5.1

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

58

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

1.72

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j = 150 O C

5.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

60

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

2.01

MJ

NTC Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

40

nH

R CC+EE R AA + CC

Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip

4.00 3.00

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Inverter )

Förbindelse mellan junction och kassa (per diod-inverter er)

Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier)

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Broms -Chopper ) Förbindelse till kassa (per diod-brake-chop per)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R ThCH

housse -till -Värmesänkande (perIGBT -Inverter )

Housning-till-kylare (per diod-in er)

Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier)

housse -till -Värmesänkande (perIGBT -Broms -Chopper )Housning-till-kylare (per diod-brake- chopper) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

M

Monteringsmoment Skruv: M5

3.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G

Översikt

Ekvivalent krets schema

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAT PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett erbjudande

Få en gratis offert

Vår representant kommer att kontakta dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000