1200V 150A, förpackning: C6
Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1200V 100a.
Funktioner
Typiska Tillämpningar
Absolut Maximal Betyg T F =25 O C om inte i annat fall Noterat
IGBT-omvandlare
Symbol |
Beskrivning |
värde |
enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
jag C |
Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C |
155 100 |
A |
jag CM |
Pulsad samlarström t P =1 ms |
200 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C |
511 |
W |
Diod-omvandlare
Symbol |
Beskrivning |
värde |
enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt Ålder |
1200 |
V |
jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent |
100 |
A |
jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms |
200 |
A |
Diode-rektifierare
Symbol |
Beskrivning |
värde |
enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt Ålder |
1600 |
V |
jag O |
Genomsnittlig utgångsström 5 0Hz/60Hz, sinusvåg |
100 |
A |
jag FSM |
Överspännings framström t P =10ms @ T j = 25O C @ T j = 150 O C |
1150 880 |
A |
jag 2T |
jag 2T-värde, t P =10ms @ T j =25 O C @ T j = 150 O C |
6600 3850 |
A 2S |
IGBT-broms
Symbol |
Beskrivning |
värde |
enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1200 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
jag C |
Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C |
87 50 |
A |
jag CM |
Pulsad samlarström t P =1 ms |
100 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C |
308 |
W |
Diod -Broms
Symbol |
Beskrivning |
värde |
enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt Ålder |
1200 |
V |
jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent |
25 |
A |
jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms |
50 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
värde |
enhet |
T jmax |
Maximal spänningsföreningstemperatur (inverterare, broms) Maximala kopplings temperatur (rektifierare) |
175 150 |
O C |
T - Vad? |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
O C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
O C |
V ISO |
Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
enhet |
V CE (sat) |
Samlare till emitterare Mätningsspänning |
jag C =100A,V Generella =15V, T j =25 O C |
|
1.70 |
2.15 |
V |
jag C =100A,V Generella =15V, T j =125 O C |
|
1.95 |
|
|||
jag C =100A,V Generella =15V, T j = 150 O C |
|
2.00 |
|
|||
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
jag C =4.00 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C |
|
|
1.0 |
mA |
jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C |
|
|
400 |
NA |
R Gint |
Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning |
|
|
7.5 |
|
Ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
10.4 |
|
NF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.29 |
|
NF |
|
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
0.78 |
|
μC |
T D (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C |
|
218 |
|
N |
T R |
Uppgångstid |
|
35 |
|
N |
|
T d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
287 |
|
N |
|
T F |
Hösttid |
|
212 |
|
N |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
9.23 |
|
MJ |
|
E Avstängd |
Avstängning Förlust |
|
6.85 |
|
MJ |
|
T D (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C |
|
242 |
|
N |
T R |
Uppgångstid |
|
41 |
|
N |
|
T d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
352 |
|
N |
|
T F |
Hösttid |
|
323 |
|
N |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
13.6 |
|
MJ |
|
E Avstängd |
Avstängning Förlust |
|
9.95 |
|
MJ |
|
T D (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C |
|
248 |
|
N |
T R |
Uppgångstid |
|
43 |
|
N |
|
T d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
365 |
|
N |
|
T F |
Hösttid |
|
333 |
|
N |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
14.9 |
|
MJ |
|
E Avstängd |
Avstängning Förlust |
|
10.5 |
|
MJ |
|
jag SC |
SK-uppgifter |
T P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V |
|
400 |
|
A |
Diod -Inverter Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
enhet |
V F |
Diod framåt Spänning |
jag F =100A,V Generella =0V,T j =25 O C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
jag F =100A,V Generella =0V,T j =1 25O C |
|
1.90 |
|
|||
jag F =100A,V Generella =0V,T j =1 50O C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =100A, -di/dt=2500A/μs,V Generella =-15V T j =25 O C |
|
5.89 |
|
μC |
jag RM |
Höjdpunkt omvänd återställningsström |
|
103 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning energi |
|
3.85 |
|
MJ |
|
Q R |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =100A, -di/dt=2100A/μs,V Generella =-15V T j =125 O C |
|
13.7 |
|
μC |
jag RM |
Höjdpunkt omvänd återställningsström |
|
109 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning energi |
|
6.64 |
|
MJ |
|
Q R |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =100A, -di/dt=1950A/μs,V Generella =-15V T j = 150 O C |
|
15.6 |
|
μC |
jag RM |
Höjdpunkt omvänd återställningsström |
|
109 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning energi |
|
7.39 |
|
MJ |
Diod -rektifierare Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
enhet |
V F |
Diod framåt Spänning |
jag F =100A, T j = 150 O C |
|
0.95 |
|
V |
jag R |
Omvänd ström |
T j = 150 O C,V R =1600V |
|
|
2.0 |
mA |
IGBT -Broms Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
enhet |
V CE (sat) |
Samlare till emitterare Mätningsspänning |
jag C =50A,V Generella =15V, T j =25 O C |
|
1.70 |
2.15 |
V |
jag C =50A,V Generella =15V, T j =125 O C |
|
1.95 |
|
|||
jag C =50A,V Generella =15V, T j = 150 O C |
|
2.00 |
|
|||
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
jag C =2.00 mA ,V ce = V Generella , T j =25 O C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 O C |
|
|
1.0 |
mA |
jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella = V GES ,V ce =0V, T j =25 O C |
|
|
400 |
NA |
R Gint |
Inre portmotstånd |
|
|
0 |
|
Ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
5.18 |
|
NF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.15 |
|
NF |
|
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
0.39 |
|
μC |
T D (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V Generella =± 15 V, T j =25 O C |
|
171 |
|
N |
T R |
Uppgångstid |
|
32 |
|
N |
|
T d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
340 |
|
N |
|
T F |
Hösttid |
|
82 |
|
N |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
6.10 |
|
MJ |
|
E Avstängd |
Avstängning Förlust |
|
2.88 |
|
MJ |
|
T D (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V Generella =± 15 V, T j =125 O C |
|
182 |
|
N |
T R |
Uppgångstid |
|
43 |
|
N |
|
T d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
443 |
|
N |
|
T F |
Hösttid |
|
155 |
|
N |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
8.24 |
|
MJ |
|
E Avstängd |
Avstängning Förlust |
|
4.43 |
|
MJ |
|
T D (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150 O C |
|
182 |
|
N |
T R |
Uppgångstid |
|
43 |
|
N |
|
T d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
464 |
|
N |
|
T F |
Hösttid |
|
175 |
|
N |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
8.99 |
|
MJ |
|
E Avstängd |
Avstängning Förlust |
|
4.94 |
|
MJ |
|
jag SC |
SK-uppgifter |
T P ≤10μs, V Generella =15V, T j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V |
|
200 |
|
A |
Diod -Broms Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
enhet |
V F |
Diod framåt Spänning |
jag F =25A,V Generella =0V,T j =25 O C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
jag F =25A,V Generella =0V,T j =125 O C |
|
1.90 |
|
|||
jag F =25A,V Generella =0V,T j = 150 O C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j =25 O C |
|
2.9 |
|
μC |
jag RM |
Höjdpunkt omvänd återställningsström |
|
55 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning energi |
|
0.93 |
|
MJ |
|
Q R |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j =125 O C |
|
5.1 |
|
μC |
jag RM |
Höjdpunkt omvänd återställningsström |
|
58 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning energi |
|
1.72 |
|
MJ |
|
Q R |
Återkrävt avgift |
V R =600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V Generella =-15V T j = 150 O C |
|
5.6 |
|
μC |
jag RM |
Höjdpunkt omvänd återställningsström |
|
60 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning energi |
|
2.01 |
|
MJ |
NTC Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
enhet |
R 25 |
Nominellt motstånd |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Avvikelse av R 100 |
T C =100 O C ,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Ström Dissipation |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
k |
B 25/80 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
k |
B 25/100 |
B-värde |
R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
k |
Modul Egenskaper T C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
enhet |
L ce |
Strömavtryck |
|
40 |
|
nH |
R CC+EE R AA + CC ’ |
Modulledningsresistans nce, Terminal till Chip |
|
4.00 3.00 |
|
mΩ |
R TJC |
Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Inverter ) Förbindelse mellan junction och kassa (per diod-inverter er) Förening-till-kasse (per Diode-rektif ier) Tvättpunkt -till -housse (perIGBT -Broms -Chopper ) Förbindelse till kassa (per diod-brake-chop per) |
|
|
0.293 0.505 0.503 0.487 1.233 |
K/W |
R ThCH |
housse -till -Värmesänkande (perIGBT -Inverter ) Housning-till-kylare (per diod-in er) Kasse-till-kylblock (per Diode-re ktifier) housse -till -Värmesänkande (perIGBT -Broms -Chopper )Housning-till-kylare (per diod-brake- chopper) Hylsa till värmesänk (per Modul) |
|
0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009 |
|
K/W |
M |
Monteringsmoment Skruv: M5 |
3.0 |
|
6.0 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
300 |
|
G |
Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.