GD100HFQ120C1SD, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =100 O C

162

100

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T Vj = 175 O C

595

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

100

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

200

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =100A,V Generella =15V, T Vj =25 O C

1.85

2.30

V

jag C =100A,V Generella =15V, T Vj =125 O C

2.25

jag C =100A,V Generella =15V, T Vj = 150 O C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =4,0 mA ,V ce = V Generella , T Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, T Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, T Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

7.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

10.8

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.30

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.84

μC

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V Generella =± 15 V, L S =45 nH ,T Vj =25 O C

59

N

T R

Uppgångstid

38

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

209

N

T F

Hösttid

71

N

E på

Tänd Växling Förlust

11.2

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

3.15

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V Generella =± 15 V, L S =45 nH ,T Vj =125 O C

68

N

T R

Uppgångstid

44

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

243

N

T F

Hösttid

104

N

E på

Tänd Växling Förlust

14.5

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

4.36

MJ

T D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V Generella =± 15 V, L S =45 nH ,T Vj = 150 O C

71

N

T R

Uppgångstid

46

N

T d(off)

Avstängning Fördröjningstider

251

N

T F

Hösttid

105

N

E på

Tänd Växling Förlust

15.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

4.63

MJ

jag SC

SK-uppgifter

T P ≤10μs, V Generella =15V,

T Vj = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F =100A,V Generella =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

jag F =100A,V Generella =0V,T Vj =125 O C

1.90

jag F =100A,V Generella =0V,T Vj = 150 O C

1.95

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V Generella =-15V L S =45 nH ,T Vj =25 O C

7.92

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

46.4

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

2.25

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V Generella =-15V L S =45 nH ,T Vj =125 O C

15.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

54.5

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

5.08

MJ

Q R

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V Generella =-15V L S =45 nH ,T Vj = 150 O C

18.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

58.9

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

6.67

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.75

mΩ

R TJC

Tvättpunkt -till -housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.252 0.446

K/W

R ThCH

housse -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.157 0.277 0.050

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

150

G