IGBT-modul, 1700V 100A
Kort introduktion
IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 1700V 100A.
Funktioner
Typiska Tillämpningar
Absolut Maximal Betyg T F =25 o C om inte i annat fall noterat
IGBT
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V CES |
Kollektor-emitterspänning |
1700 |
V |
V GES |
Gate-emitter spänning |
±20 |
V |
Jag C |
Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C |
196 100 |
A |
Jag CM |
Pulsad samlarström t p =1 ms |
200 |
A |
P D |
Maximal effekt Dissipation @ T vj = 175 o C |
815 |
W |
Diod
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
V RRM |
Upprepad topp omvänd volt ålder |
1700 |
V |
Jag F |
Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent |
100 |
A |
Jag FM |
Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms |
200 |
A |
Modul
Symbol |
Beskrivning |
Värde |
Enhet |
T vjmax |
Maximal temperatur vid korsningen |
175 |
o C |
T vjop |
Användningstemperatur vid kryssningsstationen |
-40 till +150 |
o C |
T STG |
Lagrings temperaturintervall |
-40 till +125 |
o C |
V ISO |
Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut. |
4000 |
V |
IGBT Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V CE (sat) |
Samlare till emitterare Mätningsspänning |
Jag C =100A,V Generella =15V, T vj =25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V |
Jag C =100A,V Generella =15V, T vj =125 o C |
|
2.25 |
|
|||
Jag C =100A,V Generella =15V, T vj = 150 o C |
|
2.35 |
|
|||
V Generella (th ) |
Gränssnitt för gate-emitterare Spänning |
Jag C =4.00 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Jag CES |
Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande |
V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
Jag GES |
Läckage i port-sändaren Nuvarande |
V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Inre portmotstånd |
|
|
7.5 |
|
ω |
C ies |
Inmatningskapacitet |
V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V |
|
12.0 |
|
nF |
C res |
Omvänd överföring Kapacitet |
|
0.29 |
|
nF |
|
Q G |
Portavgift |
V Generella =-15 ...+15V |
|
0.94 |
|
μC |
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =100A, R G =1.0Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =52 nH ,T vj =25 o C |
|
196 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
44 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
298 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
367 |
|
n |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
26.4 |
|
mJ |
|
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
14.7 |
|
mJ |
|
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =100A, R G =1.0Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =52 nH ,T vj =125 o C |
|
217 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
53 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
361 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
516 |
|
n |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
36.0 |
|
mJ |
|
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
21.0 |
|
mJ |
|
t d (på ) |
Tidsfördröjning för på- |
V CC = 900 V,I C =100A, R G =1.0Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =52 nH ,T vj = 150 o C |
|
223 |
|
n |
t r |
Uppgångstid |
|
56 |
|
n |
|
t d(off) |
Avstängning Fördröjningstider |
|
374 |
|
n |
|
t f |
Hösttid |
|
551 |
|
n |
|
E på |
Tänd Växling Förlust |
|
39.1 |
|
mJ |
|
E avstängd |
Avstängning Förlust |
|
22.4 |
|
mJ |
|
|
Jag SC |
SK-uppgifter |
t P ≤10μs, V Generella =15V, T vj = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V |
|
400 |
|
A |
Diod Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Testförhållanden |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
|
V F |
Diod framåt Spänning |
Jag F =100A,V Generella =0V,T vj =2 5o C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
Jag F =100A,V Generella =0V,T vj =125 o C |
|
1.95 |
|
|||
Jag F =100A,V Generella =0V,T vj = 150 o C |
|
1.90 |
|
|||
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =100A, -di/dt=1332A/μs,V Generella =-15V Lärare =52 nH ,T vj =25 o C |
|
26.8 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
78 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
14.4 |
|
mJ |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =100A, -di/dt=1091A/μs,V Generella =-15V Lärare =52 nH ,T vj =125 o C |
|
42.3 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
86 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
23.7 |
|
mJ |
|
Q r |
Återkrävt avgift |
V R = 900 V,I F =100A, -di/dt=1060A/μs,V Generella =-15V Lärare =52 nH ,T vj = 150 o C |
|
48.2 |
|
μC |
Jag RM |
Höjdpunkt omvänd Återställningsström |
|
89 |
|
A |
|
E rec |
Omvänd återhämtning Energi |
|
27.4 |
|
mJ |
Modul Egenskaper T C =25 o C om inte i annat fall noterat
Symbol |
Parameter |
Min. |
Typ. |
Max. |
Enhet |
L Ce |
Strömavtryck |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Modul blymotstånd Terminal till chip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R tJC |
Tvättpunkt -till -Housse (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.) |
|
|
0.184 0.274 |
K/W |
|
R thCH |
Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul) |
|
0.060 0.090 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Vikt av Modul |
|
350 |
|
g |
SV
