GD1000HTA75P6HT

Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER . 750V 1000A ,P6 .

Funktioner

Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
Låga bytesförluster
6 μs kortslutningsförmåga
VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
Maximal fjälltemperatur 175 ℃
Låg induktanshus
Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
Isolerat koppar pinfin-bakplatta med Si3N4 AMB-teknik

Typiska Tillämpningar

Fordonsapplikation
Hybrid- och elfordon
Inverterare för motordrivning

Absolut Maximal Betyg t F =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	750	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag CN	Implementerad samlare Cu Rent	1000	A
jag C	Samlarström @ T F =125 O C	450	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	2000	A
P D	Maximal effektförlust ation @ t F =75 O C t Vj = 175 O C	1282	W

Diod

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V RRM	Upprepad topp omvänd volt Ålder	750	V
jag FN	Implementerad samlare Cu Rent	1000	A
jag F	Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent	450	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	2000	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
t vjmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
t vjop	Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig I 10 sekunder inom en tidsperiod av 30 sekunder, förekomst maximalt 3000 gånger under livstiden	-40 till +150 +150 till +175	O C
t STG	Lagrings temperaturintervall	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V
D - Sväpnad.	Terminal till värmesink Terminal till terminal	9.0 9.0	mm
D klar	Terminal till värmesink Terminal till terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Egenskaper t F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C = 450 A, V Generella =15V, t Vj =25 O C

1.10

1.35

V

jag C = 450 A, V Generella =15V, t Vj = 150 O C

1.10

jag C = 450 A, V Generella =15V, t Vj = 175 O C

1.10

jag C =1000A,V Generella =15V, t Vj =25 O C

1.40

jag C =1000A,V Generella =15V, t Vj = 175 O C

1.60

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =12.9 mA ,V ce = V Generella , t Vj =25 O C

5.5

6.4

7.0

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd

1.2

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =50V,f=100kHz, V Generella =0V

66.7

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.50

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.35

NF

Q G

Portavgift

V ce =400V,I C = 450 A, V Generella =-15…+15V

4.74

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, V Generella =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj =25 O C

244

N

t r

Uppgångstid

61

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

557

N

t F

Hösttid

133

N

E på

Tänd Växling Förlust

11.0

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

22.8

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, V Generella =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj = 150 O C

260

N

t r

Uppgångstid

68

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

636

N

t F

Hösttid

226

N

E på

Tänd Växling Förlust

16.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

32.2

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 450 A,

r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, V Generella =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj = 175 O C

264

N

t r

Uppgångstid

70

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

673

N

t F

Hösttid

239

N

E på

Tänd Växling Förlust

19.2

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

33.6

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤6μs, V Generella =15V,

t Vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V Generella =15V,

t Vj = 175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Diod Egenskaper t F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F = 450 A, V Generella =0V,T Vj =2 5O C		1.40	1.65	V
		jag F = 450 A, V Generella =0V,T Vj = 150 O C		1.35
		jag F = 450 A, V Generella =0V,T Vj = 175 O C		1.30
		jag F =1000A,V Generella =0V,T Vj =25 O C		1.80
		jag F =1000A,V Generella =0V,T Vj = 175 O C		1.80
Q r	Återkrävt avgift	V r =400V,I F = 450 A, -di/dt=7809A/μs,V Generella =-8V L s =24 nH ,t Vj =25 O C		18.5		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			303		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			3.72		MJ
Q r	Återkrävt avgift	V r =400V,I F = 450 A, -di/dt=6940A/μs,V Generella =-8V L s =24 nH ,t Vj = 150 O C		36.1		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			376		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			8.09		MJ
Q r	Återkrävt avgift	V r =400V,I F = 450 A, -di/dt=6748A/μs,V Generella =-8V L s =24 nH ,t Vj = 175 O C		40.1		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			383		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			9.01		MJ

NTC Egenskaper t F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
r 25	Nominellt motstånd			5.0		kΩ
∆R/R	Avvikelse av r 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Ström Dissipation				20.0	mW
B 25/50	B-värde	r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B-värde	r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B-värde	r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modul Egenskaper t F =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck		8		nH
r CC+EE	Modul blymotstånd, terminal till chip		0.75		mΩ
P	Maximal tryck i kylcirkulationen svamp t Basplatta <40 O C t Basplatta >40 O C (relativ tryck)			2.5 2.0	bar
r thJF	Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C		0.068 0.105	0.078 0.120	K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Vikt av Modul		750		G