Diodmodul, YMDBD1500-33 | I-03

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad spänning

T C = 25 °C

3300

V

Jag F

Framström

DC

1500

A

Jag Från och med den 1 januari

Spetsström framåt

t P = 1 ms

3000

A

Jag FSM

Överström

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 25 °C

12000

A

Jag 2t

Jag 2t

Jag 2t

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 125 °C

720

kA 2s

V isol

Isolering spänning - för modul

(Gemensamma terminaler till bas plattor), AC RMS1 min, 50 Hz, T C = 25 °C

10200

V

Q PD

Delvis avlastning - för modul

IEC1287. V 1=3500V, V 2=2600V, 50Hz

RMS ,T C = 25 °C

10

pC

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

Jag RRM

Repetitiv omvänd

nuvarande

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , T C =150 °C

100

mA

V F

Framspänning

Jag F = 1500A

2.40

V

Jag F = 1500A, T vj = 150 °C

2.80

V

Q rr

Omvänd återhämtning

laddning

IF =1500A,

VCC = 1800V,

RG(ON)=1.0Ω ,

Cge=330nF,

LS=150nH,

- diF/dt = 4000A/μs,

(Tvj= 150 °C).

IGBT:

TIM1500ESM33-PSA011

T vj = 25 °C

1020

μC

T vj = 150 °C

1710

μC

Jag rr

Omvänd återhämtning

nuvarande

T vj = 25 °C

1260

A

T vj = 150 °C

1450

A

E rec

Omvänd återhämtning

energi

T vj = 25 °C

1.50

J

T vj = 150 °C

2.60

J