Diodmodul 4500V

Symbol

Symbol

参数名称

Parameter

testvillkor

Testförhållanden

数值

värde

Enhet

enhet

VRRM

Återställ höjdspänning

Upprepad spänning

tC= 25 °C

4500

V

jagF

Strömström

Framström

DC

1200

A

jagFrån och med den 1 januari

Strömström

Spetsström framåt

tP = 1 ms

2400

A

jagFSM

浪涌电流

Överström

Vr =0V, tP = 10 ms, tVj = 25 °C

TBD

A

jag2t

jag2t Värde

jag2t

Vr =0V, tP = 10 ms, tVj = 25 °C

530

kA2s

Visol

Isoleringsspänning(模块)

Isolering Spänning-för Modul

短接 alla änds, änds och basplatts mellan. (Gemensamma terminaler till Bas Plattor),AC RMS1 Min, 50 Hz, tC= 25 °C

10200

V

QPD

局部放电电荷(模块)

Delvis avlastning-för Modul

IEC1287. V1= 6900V, V2= 5100V,50Hz

RMS,tC= 25 °C

10

PC

Symbol

Symbol

参数名称

Parameter

Villkor

Testförhållanden

Minsta värde Min.

典型值 Typ.

Maximala värde

Max.

Enhet

enhet

jagRRM

Återvänd ström

Upprepande omvänd

Nuvarande

VRM = VRRM

1

mA

VRM = VRRM, tC=125 °C

50

mA

VF

Strömtryck

Framspänning

jagF = 1200A

2.70

V

jagF = 1200A,tVj = 125 °C

3.10

V

Qrr

Omvänd återställningsladdning

omvänd återhämtning

laddning

VCC = 2800V,jagF=1200A, - djagF/dt = en effekt av minst 50 W/cm3

rG(ON)= 1,5Ω ,

CGenerella= 220 nF,

Ls=150nH,

(tVj= 125 °C).

IGBT:

För att säkerställa att de inte är föremål för förfalskning ska de vara föremål för förfalskning.

tVj= 25 °C

1220

μC

tVj= 125 °C

1750

μC

jagrr

Omvänd återställningsström

omvänd återhämtning

Nuvarande

tVj= 25 °C

1320

A

tVj= 125 °C

1420

A

Erec

Omvänt återställningsförlust

omvänd återhämtning

energi

tVj= 25 °C

2.60

j

tVj= 125 °C

3.90

j