Diodmodul, MDBD1500-33-01 | I-01, FM1500NDM33-D200

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad spänning

T C = 25 °C

3300

V

Jag F

Framström

DC

1500

A

Jag Från och med den 1 januari

Spetsström framåt

t P = 1 ms

3000

A

Jag FSM

Överström

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 25 °C

12000

A

Jag 2t

Jag 2t

Jag 2t

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 125 °C

720

kA 2s

V isol

Isolering spänning - för modul

(Gemensamma terminaler till bas plattor), AC RMS1 min, 50 Hz, T C = 25 °C

6000

V

Q PD

Delvis avlastning - för modul

IEC1287. V 1=3500V, V 2=2600V, 50Hz

RMS ,T C = 25 °C

10

pC

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

IRRM

Repetitiv omvänd

nuvarande

VRM = VRRM

1

mA

VRM = VRRM, TC=150 °C

100

mA

VF

Framspänning

IF = 1500A

2.40

V

IF = 1500A,Tvj = 150 °C

2.80

V

Qrr

Omvänd återhämtning

laddning

IF =1500A,

VCC = 1800V,

RG(ON)=1.0Ω ,

Cge=330nF,

LS=150nH,

- diF/dt = 4000A/μs,

(Tvj= 150 °C).

IGBT:

TIM1500ESM33-PSA011

Tvj= 25 °C

1020

μC

Tvj= 150 °C

1710

μC

Irr

Omvänd återhämtning

nuvarande

Tvj= 25 °C

1260

A

Tvj= 150 °C

1450

A

Erec

Omvänd återhämtning

energi

Tvj= 25 °C

1.50

J

Tvj= 150 °C

2.60

J